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公开(公告)号：CN118398657B
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202410841865.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/744 , H01L29/749 , H01L29/423 , H01L21/332
Abstract: 一种半导体器件芯片、其制造方法、半导体器件及电子设备，属于功率半导体器件制造领域。所述半导体器件芯片包括门极，所述门极上具有不同于沟槽栅和隔离沟槽的沟槽结构；所述半导体器件芯片为电子和空穴均以扩散原理导通的双极半导体器件芯片，或者晶闸管芯片。本发明的具有门极沟槽结构的半导体器件可以解决如开关速度慢、漏电流大、电流承受能力低等至少一个技术问题，在开关速率、大电流关断、门极寄生参数优化、门极均流等至少一个方面有显著的提升效果，门极关断时间可减小10%到50%，电场峰值下降了15%，门极汇流过程中的寄生电感的参数也明显降低，汇流能力明显增大。
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公开(公告)号：CN118712219A
公开(公告)日：2024-09-27
申请号：CN202410739951.4
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/745 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L21/332 , H01L29/06
Abstract: 一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、合金层、门极金属层和门极引出端，所述合金层、门极金属层、门极引出端均设置于所述半导体层的阴极面上，所述合金层设置于所述半导体层与所述门极金属层之间，所述合金层的厚度呈梯度分布。本发明通过在门极金属层与半导体层之间设置合金层，并对合金层的厚度进行设计，可以实现金属‑半导体接触电阻的优化分布，改善器件的开关特性和均流效果，从而提高芯片的开关安全性、控制灵活性和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN119920690A
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202510374463.2
申请日：2025-03-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/28
Abstract: 本申请提供了一种半导体器件的电极制备方法。该电极制备方法包括：提供半导体基体和供体衬底，半导体基体具有第一表面，第一表面中具有凸台结构，供体衬底具有第二表面；在第二表面上形成转印薄膜，转印薄膜的材料包括导电材料；将转印薄膜与凸台结构的顶部台面贴合；采用转印技术将半导体基体与供体衬底分离，以使顶部台面拾取转印薄膜中与顶部台面贴合的导电材料，其中，转印技术通过控制剥离速度实现拾取；对顶部台面的导电材料进行固化，以得到半导体器件的电极。通过本申请，解决了现有技术中半导体器件的台面电极图形化均匀性低的问题。
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公开(公告)号：CN118588748A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410739913.9
申请日：2024-06-07
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/744 , H01L29/423 , H01L21/28 , H01L21/332
Abstract: 一种功率半导体器件及其制备方法。所述功率半导体器件包括半导体层、门极引出端和门极网，其中，所述门极引出端和门极网设置于所述半导体层的阴极面上，所述门极网与所述半导体层的接触电阻根据门极网与所述门极引出端的距离远近呈梯度分布，距离所述门极引出端越近，所述门极网与所述半导体层的接触电阻越大。本发明通过对门极网与半导体层的接触电阻进行调整，控制流经金‑半接触的电流沿着金属互联结构更多地流向接触电阻小的区域，实现电流在横纵向的精确控制，改善电流不均匀分布，避免烧坏器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118398657A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410841865.4
申请日：2024-06-27
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L29/744 , H01L29/749 , H01L29/423 , H01L21/332
Abstract: 一种半导体器件芯片、其制造方法、半导体器件及电子设备，属于功率半导体器件制造领域。所述半导体器件芯片包括门极，所述门极上具有不同于沟槽栅和隔离沟槽的沟槽结构；所述半导体器件芯片为电子和空穴均以扩散原理导通的双极半导体器件芯片，或者晶闸管芯片。本发明的具有门极沟槽结构的半导体器件可以解决如开关速度慢、漏电流大、电流承受能力低等至少一个技术问题，在开关速率、大电流关断、门极寄生参数优化、门极均流等至少一个方面有显著的提升效果，门极关断时间可减小10%到50%，电场峰值下降了15%，门极汇流过程中的寄生电感的参数也明显降低，汇流能力明显增大。
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公开(公告)号：CN118398482A
公开(公告)日：2024-07-26
申请号：CN202410823716.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/225 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件的制造方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成扩散源结构，所述扩散源结构包括至少一具有掺杂元素的外延层，所述外延层形成于所述衬底上；基于所述扩散源结构于所述衬底内形成扩散层，其中，所述扩散层的掺杂元素与所述外延层的掺杂元素相同，所述扩散层的掺杂元素的浓度与所述扩散源结构的厚度相关。本申请所涉及的半导体器件及其制造方法提高了扩散层的扩散均匀性和一致性，可以满足半导体器件对于不同掺杂元素的扩散需求，以及半导体器件的深结扩散的需求。本申请简化了半导体器件的制造流程，提高了扩散层的均匀性和可重复性，从而提高了半导体器件结构的可靠性和多样性。
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公开(公告)号：CN119947146A
公开(公告)日：2025-05-06
申请号：CN202510416717.2
申请日：2025-04-03
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本申请公开了一种晶闸管缺陷单元的修复方法，包括：提供表面形成有晶闸管的晶圆，在晶闸管背离晶圆的第一表面覆盖功能层，功能层的材料包括低熔点金属材料，第一表面为晶闸管的具有阴极电极的一侧表面；对晶闸管进行目标条件下的测试，使晶闸管中的晶闸管缺陷单元发热，晶闸管缺陷单元为晶闸管中的至少一个晶闸管单元的阴极电极，功能层中接触晶闸管缺陷单元的部分与晶闸管缺陷单元合金化并产生凹陷，目标条件包括：晶闸管的阳极和阴极处于反偏状态下产生的漏电流达到预设值；去除晶闸管缺陷单元和剩余的功能层。本申请的部分功能层与晶闸管缺陷单元发生合金化，以物理剔除的方式即可完全去除其电极，避免了金属残留，提升了晶闸管的修复效果。
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公开(公告)号：CN118398482B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410823716.5
申请日：2024-06-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/225 , H01L29/06
Abstract: 本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，其中，半导体器件的制造方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成扩散源结构，所述扩散源结构包括至少一具有掺杂元素的外延层，所述外延层形成于所述衬底上；基于所述扩散源结构于所述衬底内形成扩散层，其中，所述扩散层的掺杂元素与所述外延层的掺杂元素相同，所述扩散层的掺杂元素的浓度与所述扩散源结构的厚度相关。本申请所涉及的半导体器件及其制造方法提高了扩散层的扩散均匀性和一致性，可以满足半导体器件对于不同掺杂元素的扩散需求，以及半导体器件的深结扩散的需求。本申请简化了半导体器件的制造流程，提高了扩散层的均匀性和可重复性，从而提高了半导体器件结构的可靠性和多样性。
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公开(公告)号：CN118737820A
公开(公告)日：2024-10-01
申请号：CN202410772041.6
申请日：2024-06-16
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/28 , H01L21/768 , H01L29/40
Abstract: 一种金属层结构的制备方法、得到的产品及芯片制造方法，属于半导体制造工艺领域。所述金属层结构的图形化制备方法包括：在基底上形成第一可剥离介质层；在其上形成第二可剥离介质层；对两个可剥离介质层图案化，形成“檐”状双层剥离结构；在双层剥离结构上形成金属层；去除双层剥离结构，得厚度为0.1～50微米的目标金属层结构。本发明解决了厚金属层图形化的高精度难题，具备工艺成本低、工艺窗口大、工艺精度高、无需苛刻的光刻工艺要求等优势，极大提升了厚金属层图形化的工艺良率、简化了工艺流程。
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