公开(公告)号：CN110660847A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201810683778.5

申请日：2018-06-28

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 王学良 ,  刘建华 ,  袁志巧 ,  闵亚能

IPC分类号： H01L29/73 ,  H01L29/732 ,  H01L21/331

摘要： 本发明公开了一种双极型晶体管及其制造方法，双极型晶体管包括内置的续流二极管，续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，第一主面设置有第一目标掺杂区，第二主面设置有第二目标掺杂区，第一目标掺杂区为用于制作p型掺杂区的区域，第二目标掺杂区为用于制作n型掺杂区的区域，制造方法包括：向第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成p型掺杂区；向第二目标区域中注入氢离子，以形成n型掺杂区和复合中心，复合中心用于降低续流二极管的临界饱和电压以及加速反向恢复时间。本发明采用氢离子注入工艺在n型掺杂层中形成复合中心，能够加速内置的续流二极管的反向恢复速度，提高性能。

公开(公告)号：CN110660658A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201810683880.5

申请日：2018-06-28

申请人： 上海先进半导体制造股份有限公司

发明人： 王学良 ,  刘建华 ,  袁志巧 ,  闵亚能

IPC分类号： H01L21/266 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

摘要： 本发明公开了一种VDMOS及其制造方法，VDMOS包括内置的续流二极管，续流二极管包括相邻的p型掺杂区和n型掺杂区，半导体衬底基片具有第一主面和第二主面，第一主面设置有第一目标掺杂区，第二主面设置有第二目标掺杂区，第一目标掺杂区为用于制作p型掺杂区的区域，第二目标掺杂区为用于制作n型掺杂区的区域，制造方法包括：向第一目标区域中掺杂p型杂质离子，以形成p型掺杂区；向第二目标区域中注入氢离子，以形成n型掺杂区和复合中心，复合中心用于降低续流二极管的临界饱和电压以及加速反向恢复时间。本发明采用氢离子注入工艺在n型掺杂层中形成复合中心，能够加速内置的续流二极管的反向恢复速度，提高性能。