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公开(公告)号：CN103288043A
公开(公告)日：2013-09-11
申请号：CN201210252274.0
申请日：2012-07-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 李德浩
CPC分类号： B81C1/00619 , B81C2201/0122 , B81C2201/0178
摘要： HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN103288043B
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：CN201210252274.0
申请日：2012-07-19
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 李德浩
CPC分类号： B81C1/00619 , B81C2201/0122 , B81C2201/0178
摘要： HF气相蚀刻方法蚀刻高纵横比开口以形成MEMS器件和结构之间具有0.2um气隙的其他紧密封装的半导体器件。HF气相蚀刻方法蚀刻氧化物插塞和具有空隙部分和氧化物衬里部分的间隙，并且进一步蚀刻埋置在硅和其他结构下方的氧化物层并且理想地适于释放悬臂和其他MEMS器件。在一个实施例中，在室温和大气压下进行HF气相蚀刻。提供处理序列以形成包括悬臂以及固定和抗震的横向面内电极的MEMS器件。本发明还提供了高纵横比MEMS器件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN1309019C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN02821161.8
申请日：2002-11-07
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/016 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0122 , B81C2203/0735 , H01G5/40 , H01H59/0009
摘要： 一种制造微电子机械开关(MEMS)的方法，使用开始于在介质(150)内镶嵌由金属导体构成的铜镶嵌互连层的工艺。所有或部分互连凹陷直到当开关处于关闭状态时足够提供容性空气隙的程度，以及提供例如Ta/TaN保护层用空间。在开关限定的区域内限定的金属结构用作致动电极，以下拉可移动梁(160)并提供至少一个路径用于开关信号通过。这种空气隙的优点在于空气不会出现可引起可靠性和电压漂移问题的电荷存储或俘获。替代凹陷电极以提供间隙，可以正好在电极上或电极周围增加介质。下一层是另一电介质层，其淀积到在形成开关器件的可移动梁(160)之间形成间隙的所需厚度。穿过该电介质层制造通孔以在金属互连层和还将包括可移动梁的下一个金属层之间提供连接。接着构图和蚀刻通孔层以提供包含下致动电极和信号路径的空腔区。接着用牺牲释放材料回填充空腔。
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公开(公告)号：CN1575506A
公开(公告)日：2005-02-02
申请号：CN02821161.8
申请日：2002-11-07
申请人： 国际商业机器公司
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： B81C1/00246 , B81B2201/016 , B81B2201/018 , B81B2203/0127 , B81B2207/07 , B81C1/00611 , B81C2201/0122 , B81C2203/0735 , H01G5/40 , H01H59/0009
摘要： 一种制造微电子机械开关(MEMS)的方法，使用开始于在介质(150)内镶嵌由金属导体构成的铜镶嵌互连层的工艺。所有或部分互连凹陷直到当开关处于关闭状态时足够提供容性空气隙的程度，以及提供例如Ta/TaN保护层用空间。在开关限定的区域内限定的金属结构用作致动电极，以下拉可移动梁(160)并提供至少一个路径用于开关信号通过。这种空气隙的优点在于空气不会出现可引起可靠性和电压漂移问题的电荷存储或俘获。替代凹陷电极以提供间隙，可以正好在电极上或电极周围增加介质。下一层是另一电介质层，其淀积到在形成开关器件的可移动梁(160)之间形成间隙的所需厚度。穿过该电介质层制造通孔以在金属互连层和还将包括可移动梁的下一个金属层之间提供连接。接着构图和蚀刻通孔层以提供包含下致动电极和信号路径的空腔区。接着用牺牲释放材料回填充空腔。
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