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公开(公告)号：CN1244141C
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN01816238.X
申请日：2001-07-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： H01L21/02255 , B81B2201/0235 , B81B2203/0307 , B81B2207/07 , B81C1/00365 , B81C2201/0178 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02271 , H01L21/31612 , H01L21/31662
摘要： 本发明是关于一种基底及其制造方法，以及薄膜结构体，其目的在提供一种可减低热收缩时基底的氧化膜与形成于该氧化膜上的其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚的氧化膜形成时所需的成膜时间的基底及其制造方法，以及薄膜结构体。此外，为达成前述目的，本发明的基底(1)具备有：由硅所形成的基底本体(31)；以及形成于其上的基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基底本体(31)中的硅元素热氧化而形成的热SiO2膜所构成的第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成的高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。
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公开(公告)号：CN1466773A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816238.X
申请日：2001-07-26
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/316 , H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： H01L21/02255 , B81B2201/0235 , B81B2203/0307 , B81B2207/07 , B81C1/00365 , B81C2201/0178 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L21/02164 , H01L21/022 , H01L21/02238 , H01L21/02271 , H01L21/31612 , H01L21/31662
摘要： 本发明是关于一种基底及其制造方法，以及薄膜结构体，其目的在提供一种可减低热收缩时基底的氧化膜与形成于该氧化膜上的其他薄膜之间所产生的应力差，同时可缩短较厚的氧化膜形成时所需的成膜时间的基底及其制造方法，以及薄膜结构体。此外，为达成前述目的，本发明的基底(1)具备有：由硅所形成的基底本体(31)；以及形成于其上的基台用的氧化膜(33)。氧化膜(33)则具备有：由使基底本体(31)中的硅元素热氧化而形成的热SiO2膜所构成的第1氧化膜(61)；以及由在此氧化膜之上堆积而形成的高温氧化膜所构成的第2氧化膜(63)。
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公开(公告)号：CN1221035C
公开(公告)日：2005-09-28
申请号：CN01816686.5
申请日：2001-08-01
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/84 , G01P15/125 , H01L21/768
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/0307 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种不除去其他绝缘膜地除去牺牲膜的薄膜构造体的制造方法。为达到上述目的，在形成将配线(45)的表面开口的固定孔(52)时，对牺牲膜(51)采用2个蚀刻工序。在第1蚀刻工序一面将牺牲膜(51)残留，一面在配线(45)的上方以具有各向异性的干蚀刻将牺牲膜(51)部分地除去。在第2蚀刻工序以具有各向同性的湿蚀刻将残留在配线(45)的上方的牺牲膜(51)除去。
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公开(公告)号：CN1447988A
公开(公告)日：2003-10-08
申请号：CN01814446.2
申请日：2001-06-21
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , G01P15/0802 , G01P2015/0814
摘要： 本发明是一种薄膜结构体的制造方法，其目的在提供一种可使用表面无突出部的牺牲膜，来制成薄膜结构体的制造方法，藉此以制作出强度高以及可靠度高的薄膜结构体。此外，为达成前述目的，在利用较既定值更大的膜层厚度形成牺牲膜后，藉由将此牺牲膜表面加以磨削，则在使牺牲膜表面平坦化的同时，牺牲膜的膜层厚度会被调整成既定值。藉此，可除去基底(1)表面凹凸的影响，使牺牲膜表面平坦化。并且，使用该牺牲膜，可制成半导体加速度传感器的质量体(3)、梁(7)以及固定电极(5)。
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公开(公告)号：CN100355057C
公开(公告)日：2007-12-12
申请号：CN01816484.6
申请日：2001-07-30
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/0307 , B81C2201/0109 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52)，该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在，故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。
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公开(公告)号：CN1227746C
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN01816135.9
申请日：2001-07-23
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/84 , H01L21/306 , G01P15/125
CPC分类号： G01P15/125 , B81B2203/0118 , B81B2203/0136 , B81C1/00365 , B81C2201/0109 , G01P15/0802 , G01P2015/0814
摘要： 本发明涉及采用半导体加工技术形成薄膜结构体的制造方法，其目的是，提供一种能够减小热收缩时腐蚀膜与基板之间所产生的应力差的薄膜结构体的制造方法。为实现上述目的，在该薄膜结构体的制造方法中，形成于基板(1)上的腐蚀膜(51)由磷浓度设定为大于3mol%而小于4mol%的值的PSG膜形成。对于腐蚀膜(51)，在其上形成薄膜层(53)，在使该薄膜层(53)形成图案之后，通过腐蚀处理将其除去。
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公开(公告)号：CN1466775A
公开(公告)日：2004-01-07
申请号：CN01816484.6
申请日：2001-07-30
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L21/768 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/0307 , B81C2201/0109 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种不会去除其他的绝缘膜而去除腐蚀膜的电极构造、薄膜构造体的制造方法。为了达到上述目的而形成地锚孔(52)，该地锚孔是将腐蚀膜(51)、氮化膜(47)所覆盖的配线(45)的表面开口而形成的。地锚孔(52)由具有氮化膜(47)的孔部(47c)和腐蚀膜(51)的开口(51a)构成。孔部(47c)从配线(45)表面的边部(45a)仅进入配线(45)的内方第一规定距离(d1)而开口。开口(51a)从孔部(47c)仅后退第二规定距离(d2)而开口。由于第一及第二规定距离(d1、d2)的存在，故去除腐蚀膜(51)用的腐蚀剂渗入氧化膜(33)的距离长。
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公开(公告)号：CN1241021C
公开(公告)日：2006-02-08
申请号：CN01814442.X
申请日：2001-06-21
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： G01P15/125 , G01P1/02 , H01L29/84
CPC分类号： B81C1/00269 , B81B7/007 , G01P1/023 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/01322 , H01L2924/16195 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 本发明提供一种加速度传感器及其制造方法，其目的在使得低价且小型化及轻量化。而且，为达成前述目的，设置于基座(11)的传感器部(17)乃利用共晶接合于基座(11)的框部(19)的封罩(13)加以密封。封罩(13)具备有利用具导电性的半导体材料而形成的封罩本体(13a)；以及设置于封罩本体(13a)周缘部的金属膜13b。框部(19)具备有由掺杂的多晶硅所形成的框本体(19a)；被选择性地设置于框本体(19a)的扩散防止膜(19b)；及接合层(19c)。接合层(19c)其一部分的领域成为藉由导电材料所形成的导电部，而其它领域则成为藉由半导体所形成接合部。
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公开(公告)号：CN1468450A
公开(公告)日：2004-01-14
申请号：CN01816686.5
申请日：2001-08-01
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/84 , G01P15/125 , H01L21/768
CPC分类号： B81C1/00095 , B81B2203/0307 , G01P15/0802 , G01P15/125 , G01P2015/0814
摘要： 本发明的主要目的在于提供一种不除去其他绝缘膜地除去牺牲膜的薄膜构造体的制造方法。为达到上述目的，在形成将配线(45)的表面开口的固定孔(52)时，对牺牲膜(51)采用2个蚀刻工序。在第1蚀刻工序一面将牺牲膜(51)残留，一面在配线(45)的上方以具有各向异性的干蚀刻将牺牲膜(51)部分地除去。在第2蚀刻工序以具有各向同性的湿蚀刻将残留在配线(45)的上方的牺牲膜(51)除去。
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公开(公告)号：CN1446379A
公开(公告)日：2003-10-01
申请号：CN01813971.X
申请日：2001-06-13
申请人： 三菱电机株式会社
IPC分类号： H01L29/84 , G01P15/125
CPC分类号： B81C1/00666 , B81B2201/0235 , B81C2201/0164 , B81C2201/0169 , G01P15/125 , G01P2015/0814 , H01G4/33 , H01G5/16
摘要： 本发明的目的在提供一种薄膜结构体及其制造方法，是关于使用半导体加工技术而形成的薄膜结构体及其制造方法，特别是构成半导体加速传感器的薄膜结构体及其制造方法，不仅可简便地进行薄膜体的应力控制，同时可很容易将薄膜体的膜厚予以加厚。为了达成上述目的，半导体加速传感器的质量体(3)、梁(7)及构成固定电极(5)的薄膜体(8)，是由多个的经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)所构成，而该经掺杂的多晶硅薄膜(33，35)，则是薄由进行多次一边掺杂做为杂质的磷一边使多晶硅成膜的程序而层叠而成。
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