公开(公告)号：CN1778663A

公开(公告)日：2006-05-31

申请号：CN200510115008.3

申请日：2005-11-23

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 张毓华 ,  陈斐筠 ,  曾健庭 ,  朱翁驹 ,  彭俊凯 ,  叶志杰 ,  柏竟衡 ,  何大椿

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00 ,  H01L21/00

CPC分类号： B81C1/00253 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/053

摘要： 本发明提供一种防金属与硅层间侧向交互扩散的方法和结构及微机电结构，该方法包括下列步骤：首先，提供一包括多个金属图案的基板。接着，形成氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氮化钛或氧化铝于金属图案的间隙壁以防止金属图案和后续填入的硅层间侧向交互扩散。