公开(公告)号：CN109678105B

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN201811217950.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 ,  A·德厄 ,  U·赫科勒 ,  J·斯特拉塞 ,  A·沃瑟

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。

公开(公告)号：CN109678105A

公开(公告)日：2019-04-26

申请号：CN201811217950.4

申请日：2018-10-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·梅茨格-布吕克尔 ,  A·德厄 ,  U·赫科勒 ,  J·斯特拉塞 ,  A·沃瑟

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  H04R19/04

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00293 ,  B81C2201/0178 ,  B81C2201/0181 ,  B81C2203/0145 ,  B81C1/00277 ,  B81B7/0035 ,  H04R19/04 ,  H04R2201/003

Abstract: 本公开的实施例涉及封闭通向空腔的进入开口的方法和具有封闭元件的MEMS部件。该方法具有以下步骤：提供具有第一层结构的层布置和与第一层结构邻接地布置的空腔，其中第一层结构具有通向空腔的进入开口；执行CVD层沉积以便在具有进入开口的第一层结构上形成具有层厚度的第一覆盖层；和执行具有第一子步骤和第二子步骤的HDP层沉积以便在第一覆盖层上形成第二覆盖层，其中在第一子步骤中，在第一覆盖层上发生衬垫材料层的沉积，其中在第二子步骤中，在进入开口的区域中实现衬垫材料层的以及第一覆盖层的局部背向溅射，并且其中第一子步骤和第二子步骤交替地且多次重复地执行。