公开(公告)号：CN108100985B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201711099535.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  C·盖斯勒 ,  B·戈勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈尔 ,  D·迈尔 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  黄志洋 ,  施明计 ,  M·施泰尔特 ,  C·韦希特尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN104008980A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410060022.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/04 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例涉及多个半导体芯片，每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN104008980B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201410060022.7

申请日：2014-02-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  U·瓦赫特

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC classification number: H01L21/561 ,  H01L21/568 ,  H01L21/78 ,  H01L21/82 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L25/50 ,  H01L27/04 ,  H01L28/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/00

Abstract: 本公开的实施例涉及多个半导体芯片，每个半导体芯片包括第一主面和与第一主面相对的第二主面。第一包封层被施加在半导体芯片的第二主面之上。电布线层施加在第一半导体芯片的第一主面之上。第二包封层施加在电布线层之上。减小第一包封层的厚度和第一半导体芯片的厚度。可以对结构进行单片化以获得多个半导体器件。

公开(公告)号：CN106082110B

公开(公告)日：2017-10-24

申请号：CN201610244599.2

申请日：2016-04-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  M·梅纳特 ,  F·X·米尔鲍尔 ,  D·波尔沃尔 ,  J·瓦格纳

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/00

CPC classification number: B81C1/00896 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00801 ,  B81C2201/0194 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。

公开(公告)号：CN109962056B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201811574662.4

申请日：2018-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈特纳 ,  C·盖斯勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈耶 ,  F-X·米尔鲍尔 ,  M·R·涅斯纳 ,  C·韦希特尔

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/24 ,  H01L23/62 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。

公开(公告)号：CN109962056A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811574662.4

申请日：2018-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·哈特纳 ,  C·盖斯勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈耶 ,  F-X·米尔鲍尔 ,  M·R·涅斯纳 ,  C·韦希特尔

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/24 ,  H01L23/62 ,  H01L21/60 ,  H01L23/50

Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。

公开(公告)号：CN113451280A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110735342.8

申请日：2017-02-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN112713141A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011112951.X

申请日：2020-10-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·里德 ,  T·基尔格

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本公开的各实施例涉及具有高频信号引导元件的高频装置和对应的制造方法。高频装置包括：高频芯片；布置在高频芯片的芯片表面上方的第一连接元件，该第一连接元件被设计为将高频芯片与电路板机械和电气连接；以及布置在芯片表面上方的、并且与高频芯片电耦合的高频信号引导元件，该高频信号引导元件被非导电材料覆盖并且被设计为在与芯片表面平行的方向上传输信号，其中关于与芯片表面垂直的方向，第一连接元件和高频信号引导元件被布置在相同的高度，并且其中第一连接元件在没有非导电材料的区域上方与高频信号引导元件间隔开。

公开(公告)号：CN107093598A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710083163.4

申请日：2017-02-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49816 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/18162 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/2283

Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN108100985A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711099535.9

申请日：2017-11-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  C·盖斯勒 ,  B·戈勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈尔 ,  D·迈尔 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  黄志洋 ,  施明计 ,  M·施泰尔特 ,  C·韦希特尔

IPC: B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC classification number: B81B7/0058 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0154

Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。