公开(公告)号：CN113451280A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110735342.8

申请日：2017-02-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN107093598A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710083163.4

申请日：2017-02-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49816 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/18162 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/2283

Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。