公开(公告)号：CN103839842A

公开(公告)日：2014-06-04

申请号：CN201310757117.X

申请日：2013-11-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 ,  K·侯赛因 ,  J·马勒 ,  G·迈尔-贝格

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L24/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造电子元件的方法。提供一种载体和一种半导体芯片。连接层被施加到该半导体芯片的第一主面。该连接层包括多个凹陷部。填料被施加到该连接层或该载体。该半导体芯片被附着到该载体，使得该连接层被设置于该半导体芯片和该载体之间。该半导体芯片被附接到该载体。

公开(公告)号：CN110277353A

公开(公告)日：2019-09-24

申请号：CN201910186959.1

申请日：2019-03-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  G·迈尔-贝格 ,  G·图奇

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种封装(100)，包括电子芯片(108)和包括高度填充的交联热塑性材料(106)的介电结构(104)。

公开(公告)号：CN105810595A

公开(公告)日：2016-07-27

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/78

CPC classification number: H01L21/78 ,  B32B37/26 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/562 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68381 ,  H05K3/007 ,  Y10S156/93 ,  Y10S156/941 ,  H01L21/50 ,  H01L21/7813

Abstract: 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN110277353B

公开(公告)日：2024-10-11

申请号：CN201910186959.1

申请日：2019-03-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·马勒 ,  G·迈尔-贝格 ,  G·图奇

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L21/56

Abstract: 一种封装(100)，包括电子芯片(108)和包括高度填充的交联热塑性材料(106)的介电结构(104)。

公开(公告)号：CN102403293B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201110324979.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  K·霍赛尼 ,  F·卡尔曼 ,  G·迈尔-贝格 ,  R·奥特雷姆巴

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及管芯结构、管芯布置以及处理管芯的方法。管芯结构包括管芯和设置在管芯的前侧上的金属化层。金属化层包括铜。金属化层的至少一个部分具有粗糙表面轮廓。具有粗糙表面轮廓的部分包括引线接合结构待接合到的引线接合区域。

公开(公告)号：CN102403293A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110324979.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  K·霍赛尼 ,  F·卡尔曼 ,  G·迈尔-贝格 ,  R·奥特雷姆巴

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及管芯结构、管芯布置以及处理管芯的方法。管芯结构包括管芯和设置在管芯的前侧上的金属化层。金属化层包括铜。金属化层的至少一个部分具有粗糙表面轮廓。具有粗糙表面轮廓的部分包括引线接合结构待接合到的引线接合区域。

公开(公告)号：CN113451280A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110735342.8

申请日：2017-02-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/56

Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN105810595B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201610042137.2

申请日：2016-01-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·鲍尔 ,  H·德普克 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  D·波尔沃尔 ,  T·施密特 ,  C·冯韦希特尔

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/78

Abstract: 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。

公开(公告)号：CN107093598A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710083163.4

申请日：2017-02-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC: H01L23/66 ,  H01Q1/22

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49816 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/18162 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/2283

Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN103839842B

公开(公告)日：2017-01-04

申请号：CN201310757117.X

申请日：2013-11-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： E·菲尔古特 ,  K·侯赛因 ,  J·马勒 ,  G·迈尔-贝格

IPC: H01L21/58 ,  H01L21/768 ,  H01L23/538

CPC classification number: H01L23/5384 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/78 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83207 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83455 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造电子元件的方法。提供一种载体和一种半导体芯片。连接层被施加到该半导体芯片的第一主面。该连接层包括多个凹陷部。填料被施加到该连接层或该载体。该半导体芯片被附着到该载体，使得该连接层被设置于该半导体芯片和该载体之间。该半导体芯片被附接到该载体。