公开(公告)号：CN103855109A

公开(公告)日：2014-06-11

申请号：CN201310757262.8

申请日：2013-12-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  R·奥特伦巴 ,  K·席斯 ,  X·施勒格尔 ,  J·施雷德尔

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

CPC classification number: H01L23/34 ,  H01L21/56 ,  H01L23/36 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及芯片模块、绝缘材料和制造芯片模块的方法。一种芯片模块包括载体、布置在载体上或嵌入载体内的半导体芯片和至少部分地覆盖载体的面的绝缘层。绝缘层的介电常数εr和导热系数λ满足条件λ·εr＜4.0W·m-1·K-1。

公开(公告)号：CN103681584A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310692504.X

申请日：2013-09-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  K·侯赛尼 ,  R·奥特伦巴

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L21/56 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L23/498 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/41 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/37139 ,  H01L2224/37144 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37164 ,  H01L2224/37169 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40249 ,  H01L2224/4103 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明涉及具有夹接触部的半导体器件。一种半导体器件包括载体。此外，所述半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括第一主表面以及与所述第一主表面相对的第二主表面，其中在所述第一主表面上布置第一电极，以及所述半导体芯片以所述第二主表面面向所述载体的方式安装于所述载体上。此外，提供了一种嵌入有所述半导体芯片的密封体。所述半导体器件进一步包括接触夹，其中所述接触夹是具有接合到所述第一电极的接合部分且具有形成所述半导体器件的外部端子的端子部分的整体部件。

公开(公告)号：CN103199069B

公开(公告)日：2016-07-06

申请号：CN201210599161.8

申请日：2012-12-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  J·洛德迈耶 ,  J·马勒 ,  R·奥特伦巴

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/492 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24135 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 包含两个功率半导体芯片的器件及其制造。一种器件，包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第一功率半导体芯片。该器件进一步包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第二功率半导体芯片。将该第一和第二功率半导体芯片布置成一个在另一个之上，并且该第一功率半导体芯片的第一面面向第二功率半导体芯片的第一面的方向。此外，该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

公开(公告)号：CN103681592A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310454608.7

申请日：2013-09-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  R·奥特伦巴 ,  K·席斯 ,  X·施勒格尔 ,  J·施雷德尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L23/49568 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3735 ,  H01L23/467 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/181 ,  H05K1/0209 ,  H05K1/0256 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/2072 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及横向元件隔离装置。装置和技术的代表性实施方式在载体和安装到所述载体的部件之间提供了隔离。具有横向元件的多层装置在预设的隔离电压下提供电气隔离，同时保持元件和载体之间的预先选定的热导率。

公开(公告)号：CN104347577B

公开(公告)日：2018-03-02

申请号：CN201410386659.5

申请日：2014-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/0262 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09336 ,  H05K2201/09972 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的实施例涉及重新分布板、电子组件和模块。一种重新分布板包括：第一传导层，包括用于低电压信号的重新分布结构；第二传导层，包括用于高电压信号的重新分布结构；以及非传导层。第二传导层通过非传导层与第一传导层间隔开。重新分布板还包括传导连接件，从重新分布板的安装表面延伸到第二传导层。传导连接件被第一传导层的低电压连线围绕。

公开(公告)号：CN103199069A

公开(公告)日：2013-07-10

申请号：CN201210599161.8

申请日：2012-12-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  J·洛德迈耶 ,  J·马勒 ,  R·奥特伦巴

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/568 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/492 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/96 ,  H01L25/071 ,  H01L25/072 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/02381 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/24011 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/24105 ,  H01L2224/24135 ,  H01L2224/245 ,  H01L2224/40105 ,  H01L2224/40227 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82106 ,  H01L2224/96 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/84 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/014 ,  H01L2224/05552

Abstract: 包含两个功率半导体芯片的器件及其制造。一种器件，包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第一功率半导体芯片。该器件进一步包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第二功率半导体芯片。将该第一和第二功率半导体芯片布置成一个在另一个之上，并且该第一功率半导体芯片的第一面面向第二功率半导体芯片的第一面的方向。此外，该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。

公开(公告)号：CN102403293B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：CN201110324979.4

申请日：2011-09-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  K·霍赛尼 ,  F·卡尔曼 ,  G·迈尔-贝格 ,  R·奥特雷姆巴

IPC: H01L23/488 ,  H01L23/49 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/48 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/45 ,  H01L24/85 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48458 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/48847 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及管芯结构、管芯布置以及处理管芯的方法。管芯结构包括管芯和设置在管芯的前侧上的金属化层。金属化层包括铜。金属化层的至少一个部分具有粗糙表面轮廓。具有粗糙表面轮廓的部分包括引线接合结构待接合到的引线接合区域。

公开(公告)号：CN103681592B

公开(公告)日：2017-04-12

申请号：CN201310454608.7

申请日：2013-09-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  R·奥特伦巴 ,  K·席斯 ,  X·施勒格尔 ,  J·施雷德尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/367 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明涉及横向元件隔离装置。装置和技术的代表性实施方式在载体和安装到所述载体的部件之间提供了隔离。具有横向元件的多层装置在预设的隔离电压下提供电气隔离，同时保持元件和载体之间的预先选定的热导率。

公开(公告)号：CN103855109B

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：CN201310757262.8

申请日：2013-12-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： J·赫格劳尔 ,  R·奥特伦巴 ,  K·席斯 ,  X·施勒格尔 ,  J·施雷德尔

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

Abstract: 本发明涉及芯片模块、绝缘材料和制造芯片模块的方法。一种芯片模块包括载体、布置在载体上或嵌入载体内的半导体芯片和至少部分地覆盖载体的面的绝缘层。绝缘层的介电常数εr和导热系数λ满足条件λ·εr＜4.0W·m‑1·K‑1。

公开(公告)号：CN104347577A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410386659.5

申请日：2014-08-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·奥特雷姆巴 ,  J·赫格劳尔

IPC: H01L23/498 ,  H01L25/07

CPC classification number: H01L23/5226 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/778 ,  H01L2224/48091 ,  H05K1/0262 ,  H05K1/181 ,  H05K2201/0761 ,  H05K2201/093 ,  H05K2201/09309 ,  H05K2201/09336 ,  H05K2201/09972 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明的实施例涉及重新分布板、电子组件和模块。一种重新分布板包括：第一传导层，包括用于低电压信号的重新分布结构；第二传导层，包括用于高电压信号的重新分布结构；以及非传导层。第二传导层通过非传导层与第一传导层间隔开。重新分布板还包括传导连接件，从重新分布板的安装表面延伸到第二传导层。传导连接件被第一传导层的低电压连线围绕。