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公开(公告)号：CN109384193B
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN201810908665.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于光学器件的倾斜芯片组件，提供了一种微机电系统(MEMS)封装组件及其制造方法。该MEMS封装组件包括：衬底；壳体，耦合至衬底以形成腔体，其中壳体包括透明板，该透明板被设置在衬底上方且与衬底平行并且被配置为允许光传输穿过该透明板；以及MEMS芯片，设置在腔体内，并且包括接近透明板的第一主面以及与第一主面相对且耦合至衬底的第二主面。MEMS芯片被定向，使得第一主面相对于透明板以倾斜角度而倾斜。
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公开(公告)号：CN110718540B
公开(公告)日：2023-11-28
申请号：CN201910620076.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有塑料波导的半导体封装。例如，一种半导体装置，包括集成电路(IC)封装和塑料波导。IC封装包括：半导体芯片；以及嵌入式天线，形成在耦合至半导体芯片的再分配层(RDL)内，其中RDL被配置为在半导体芯片和嵌入式天线之间传输射频(RF)信号。塑料波导附接至IC封装，并且被配置为在嵌入式天线和IC封装的外侧之间传输RF信号。
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公开(公告)号：CN103199069B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201210599161.8
申请日：2012-12-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L21/568 , H01L21/76897 , H01L23/3107 , H01L23/492 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/1411 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24105 , H01L2224/24135 , H01L2224/245 , H01L2224/40105 , H01L2224/40227 , H01L2224/73209 , H01L2224/73267 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/84 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 包含两个功率半导体芯片的器件及其制造。一种器件，包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第一功率半导体芯片。该器件进一步包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第二功率半导体芯片。将该第一和第二功率半导体芯片布置成一个在另一个之上，并且该第一功率半导体芯片的第一面面向第二功率半导体芯片的第一面的方向。此外，该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109384193A
公开(公告)日：2019-02-26
申请号：CN201810908665.0
申请日：2018-08-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及用于光学器件的倾斜芯片组件，提供了一种微机电系统(MEMS)封装组件及其制造方法。该MEMS封装组件包括：衬底；壳体，耦合至衬底以形成腔体，其中壳体包括透明板，该透明板被设置在衬底上方且与衬底平行并且被配置为允许光传输穿过该透明板；以及MEMS芯片，设置在腔体内，并且包括接近透明板的第一主面以及与第一主面相对且耦合至衬底的第二主面。MEMS芯片被定向，使得第一主面相对于透明板以倾斜角度而倾斜。
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公开(公告)号：CN109962056B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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公开(公告)号：CN110718540A
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：CN201910620076.7
申请日：2019-07-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及具有塑料波导的半导体封装。例如，一种半导体装置，包括集成电路(IC)封装和塑料波导。IC封装包括：半导体芯片；以及嵌入式天线，形成在耦合至半导体芯片的再分配层(RDL)内，其中RDL被配置为在半导体芯片和嵌入式天线之间传输射频(RF)信号。塑料波导附接至IC封装，并且被配置为在嵌入式天线和IC封装的外侧之间传输RF信号。
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公开(公告)号：CN109962056A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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公开(公告)号：CN103199069A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201210599161.8
申请日：2012-12-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L25/07
CPC classification number: H01L25/50 , H01L21/4857 , H01L21/568 , H01L21/76897 , H01L23/3107 , H01L23/492 , H01L23/5389 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/24 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L2224/02379 , H01L2224/02381 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/131 , H01L2224/1411 , H01L2224/14181 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16245 , H01L2224/24011 , H01L2224/2402 , H01L2224/24105 , H01L2224/24135 , H01L2224/245 , H01L2224/40105 , H01L2224/40227 , H01L2224/73209 , H01L2224/73267 , H01L2224/82106 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2224/81 , H01L2224/84 , H01L2924/00012 , H01L2924/01029 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2224/05552
Abstract: 包含两个功率半导体芯片的器件及其制造。一种器件，包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第一功率半导体芯片。该器件进一步包含在第一面上具有第一接触焊盘和第二接触焊盘以及在第二面上具有第三接触焊盘的第二功率半导体芯片。将该第一和第二功率半导体芯片布置成一个在另一个之上，并且该第一功率半导体芯片的第一面面向第二功率半导体芯片的第一面的方向。此外，该第一功率半导体芯片横向上至少部分地位于该第二功率半导体芯片的轮廓外部。
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