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公开(公告)号：CN119028057A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410629860.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G07D7/10 , G07D7/1205
Abstract: 本发明涉及用于认证对象的方法和移动使用设备，该方法包括相对于包含超材料标记的对象定位毫米波收发器。由毫米波收发器朝超材料标记的方向发送发送信号，其中，基于超材料标记将发送信号转换为接收信号，该接收信号具有第一特性并且朝毫米波收发器的方向被辐射。接收信号由毫米波收发器接收并处理以检测第一特性。基于第一特性产生第一比较信息，并且执行对象基于第一比较信息的认证。
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公开(公告)号：CN108100985A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711099535.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2203/0315 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2203/0118 , B81C2203/0154
Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN118201463A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311679455.6
申请日：2023-12-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及扇出晶圆级封装和相关制造方法。一种扇出晶圆级封装，包含磁场传感器芯片和至少部分包封磁场传感器芯片的包封材料。此外，扇出晶圆级封装包含由平坦可焊接金属涂层形成的外部电接触元件，以及布置在包封材料上方的电再分布层，其将磁场传感器芯片和外部电接触元件彼此电连接。
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公开(公告)号：CN111825054B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010225315.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及应力解耦和粒子过滤器集成。提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；应力敏感传感器，设置在衬底的第一表面处，其中应力敏感传感器对机械应力敏感；应力解耦沟槽，具有从第一表面延伸到衬底中的竖直延伸，其中应力解耦沟槽朝向第二表面竖直地部分延伸至衬底中，但未完全延伸到第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从第二表面竖直地延伸至衬底中，其中多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与应力解耦沟槽的竖直延伸正交延伸的纵向延伸。
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公开(公告)号：CN109962056B
公开(公告)日：2023-08-01
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116337756A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211657722.5
申请日：2022-12-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N21/01 , G01N21/17 , G01N21/31 , G01N21/3504
Abstract: 本公开的实施例涉及一种辐射源装置，其包括至少一个膜层、被配置为发射电磁或红外辐射的辐射源结构、基板和间隔结构，其中基板和至少一个膜形成腔室，其中腔室中的压力为低于或等于腔室外部的压力，其中辐射源结构设置在至少一个膜层和基板之间。
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公开(公告)号：CN110660688A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910596692.3
申请日：2019-06-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L23/31 , H01L21/56 , H01L23/482 , H01L23/488
Abstract: 本公开的实施例涉及具有在包封材料中的凹部的半导体装置和所属的制造方法，方法包括提供至少一个半导体组件，其中至少一个半导体组件中的每个包括：半导体芯片，其中半导体芯片包括第一主表面和与第一主表面相对置的第二主表面，和布置在半导体芯片的相对置的第二主表面上的牺牲材料。该方法还包括用包封材料包封至少一个半导体组件。该方法还包括去除牺牲材料，其中在至少一个半导体芯片中的每个上形成包封材料中的凹部。该方法还包括将至少一个盖布置在至少一个凹部上，其中通过至少一个凹部和至少一个盖在至少一个半导体芯片的每个上形成封闭空腔。
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公开(公告)号：CN109962056A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201811574662.4
申请日：2018-12-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。该半导体装置包括：电路板；具有主表面的半导体封装，其中半导体封装布置在电路板上并且主表面面向电路板；半导体封装的高频线元件，布置在该主表面上或半导体封装内，其中该高频线元件被配置为传输频率大于10GHz的信号；和底部填充材料，其布置在电路板和半导体封装之间，其中高频线元件和底部填充材料在该主表面上的正交投影中不重叠。
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公开(公告)号：CN108100985B
公开(公告)日：2022-02-11
申请号：CN201711099535.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN111825054A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010225315.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及应力解耦和粒子过滤器集成。提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；应力敏感传感器，设置在衬底的第一表面处，其中应力敏感传感器对机械应力敏感；应力解耦沟槽，具有从第一表面延伸到衬底中的竖直延伸，其中应力解耦沟槽朝向第二表面竖直地部分延伸至衬底中，但未完全延伸到第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从第二表面竖直地延伸至衬底中，其中多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与应力解耦沟槽的竖直延伸正交延伸的纵向延伸。
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