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公开(公告)号：CN115727979A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211023883.9
申请日：2022-08-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01L1/14
Abstract: 电容性压力传感器装置包括在基板上的第一MEMS压力感测部分和第二MEMS压力感测部分，每个包括相对于基板固定的第一刚性电极、第二刚性电极和可偏转膜结构，其中第二刚性电极夹在第一刚性电极和可偏转膜结构之间，且其中第一刚性电极、第二刚性电极和可偏转膜结构以垂直间隔配置来布置，且其中第一MEMS压力感测部分的第一和第二刚性电极形成第一MEMS压力感测部分的参考电容器，且其中第一MEMS压力感测部分的第二刚性电极和可偏转膜结构形成第一MEMS压力感测部分的感测电容器，且其中第二MEMS压力感测部分的第一和第二刚性电极形成第二MEMS压力感测部分的参考电容器，且其中第二MEMS压力感测部分的第二刚性电极和可偏转膜结构形成第二MEMS压力感测部分的感测电容器。
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公开(公告)号：CN115727887A
公开(公告)日：2023-03-03
申请号：CN202211054202.5
申请日：2022-08-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： D-I-D·斯托伊卡 , C·柯丽苏 , B·温克勒 , A·卡斯帕尼 , C·巴法 , V·波佩斯库-斯托雷
Abstract: 本发明的实施例涉及通过使用吸合功能性检测电容传感器中的灵敏度故障。一种电容传感器，包括：第一电极结构；与第一电极结构相对的第二电极结构，其中第二电极结构相对于第一电极结构是可移动的，并且与第一电极结构电容耦合以形成具有电容的电容器，该电容随者在第一电极结构与第二电极结构之间的距离的变化而变化；信号发生器，被配置为在电容器的输入处或输出处施加电气信号，以在电容器的输出处引发电压瞬态响应；以及诊断电路，被配置为通过如下方式来检测电容传感器中的故障：测量第一电压瞬态响应的时间常数并基于时间常数，并基于第一电气信号是吸合信号还是非吸合信号来检测故障。
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公开(公告)号：CN110132316A
公开(公告)日：2019-08-16
申请号：CN201910105564.4
申请日：2019-02-01
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 示例提供了用于比较传感器单元的输出的装置、方法和计算机程序，包括至少两个测量单元(10、12)的集合(110)。测量单元包括至少两个传感器单元(10a、10b、12a、12b)，其中至少一个测量单元的至少一个传感器单元包括对测量的量敏感的敏感传感器单元(S1、S2)。传感器单元彼此互混。该装置还包括用于选择布置的传感器单元的输出信号的模块(120)和用于通过比较不同测量单元的输出信号来确定测量的量或确定完整传感器单元的模块(130)。
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公开(公告)号：CN115479621A
公开(公告)日：2022-12-16
申请号：CN202210669216.1
申请日：2022-06-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及检测电容传感器中的电容故障和灵敏度故障。一种电容传感器包括第一导电结构；与第一导电结构相对的第二导电结构，其中第二导电结构响应于作用在其上的外力而相对于第一导电结构可移动，其中第二导电结构电容耦合到第一导电结构以形成第一电容器，第一电容器具有随着第一导电结构与第二导电结构之间的距离的变化而变化的第一电容；信号发生器，被配置为在第一电容器的输入或输出处施加第一电信号阶跃以在第一电容器的输出处引起第一电压瞬态响应；以及诊断电路，被配置为通过测量第一电压瞬态响应的第一时间常数并且基于第一时间常数检测故障来检测电容传感器中的故障。
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公开(公告)号：CN105329838A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510335175.2
申请日：2015-06-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81C1/00158 , B81C1/00539 , G02B26/007
Abstract: 各个实施例涉及微机电系统(MEMS)，并且特别涉及包括用于在例如显示器件中使用的像素的薄膜结构。在各个实施例中，薄膜结构包括在腔之上的单晶硅薄膜，该腔形成在硅衬底上面。薄膜结构可以包括光干涉结构，其取决于薄膜与衬底之间的可变距离而透射或者反射光的不同波长。还公开了相关的器件、系统和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111646424B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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公开(公告)号：CN114910857A
公开(公告)日：2022-08-16
申请号：CN202210117937.1
申请日：2022-02-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： D-I-D·斯托伊卡 , C·柯丽苏 , V·波佩斯库-斯托雷 , B·温克勒
IPC: G01R35/02
Abstract: 本公开的各实施例涉及电容式传感器中的电气故障的诊断。一种电容式传感器包括第一导电结构、第二导电结构以及诊断电路；第二导电结构响应于作用在其上的外力而相对于第一导电结构可移动，其中第一导电结构和第二导电结构形成第一电容器，第一电容器具有随着第一导电结构与第二导电结构之间的距离的变化而变化的第一电容，其中第一电容代表外力；诊断电路被配置为通过测量受第一漏电流影响的第一电参数并且将所测量的第一电参数与第一预定误差阈值进行比较来在电容式传感器中检测第一漏电流，其中诊断电路还被配置为响应于所测量的第一电参数大于第一预定误差阈值而生成第一误差信号。
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公开(公告)号：CN111825054B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010225315.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及应力解耦和粒子过滤器集成。提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；应力敏感传感器，设置在衬底的第一表面处，其中应力敏感传感器对机械应力敏感；应力解耦沟槽，具有从第一表面延伸到衬底中的竖直延伸，其中应力解耦沟槽朝向第二表面竖直地部分延伸至衬底中，但未完全延伸到第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从第二表面竖直地延伸至衬底中，其中多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与应力解耦沟槽的竖直延伸正交延伸的纵向延伸。
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公开(公告)号：CN114812923A
公开(公告)日：2022-07-29
申请号：CN202210040909.4
申请日：2022-01-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01L19/14
Abstract: 本公开的实施例涉及用于大压力范围的耐介质压力传感器。一种压力传感器(10；20；30)，包括壳体(11)、与壳体(11)一起形成密封的空腔(13)的柔性膜(12)、布置在空腔(13)中的传感器元件(14)、以及位于空腔(13)中的气态介质(15)。
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公开(公告)号：CN111646424A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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