公开(公告)号：CN111646424B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN201911319665.8

申请日：2019-12-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·迈因霍尔德 ,  F·布兰德尔 ,  R·格林贝格尔 ,  W·朗海因里希 ,  S·卢贝 ,  R·迈耶 ,  B·温克勒

IPC: B81B7/00

Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。

公开(公告)号：CN114121935A

公开(公告)日：2022-03-01

申请号：CN202110888113.X

申请日：2021-08-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·斯塔夫列夫 ,  D·迈因霍尔德

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/31 ,  G01D21/02

Abstract: 根据本公开的各实施例涉及具有在边缘处的传感器区段的半导体管芯。提出了一种半导体管芯(100)，其中半导体管芯(100)具有微电子区段(101)和传感器区段(103)。微电子区段(101)具有集成电路(102)。传感器区段(103)与半导体管芯(100)的边缘(104)邻接。还提出了一种传感器，该传感器包括这样的半导体管芯(100)。

公开(公告)号：CN104576843A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410539883.3

申请日：2014-10-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  S·科尔布 ,  H·托伊斯 ,  D·迈因霍尔德

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/58

Abstract: 一种用于发射经频率调节的红外光的半导体器件，包括横向发射器结构和横向滤光器结构。横向发射器结构被配置用于发射具有发射器频率分布的红外光。此外，横向滤光器结构被配置用于对由横向发射器结构发射的红外光进行滤光，从而提供具有经调节的频率分布的经频率调节的红外光。经调节的频率分布的频率范围比发射器频率分布的频率范围窄。此外，横向气体间隙位于横向发射器结构和横向滤光器结构之间。

公开(公告)号：CN111646424A

公开(公告)日：2020-09-11

申请号：CN201911319665.8

申请日：2019-12-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·迈因霍尔德 ,  F·布兰德尔 ,  R·格林贝格尔 ,  W·朗海因里希 ,  S·卢贝 ,  R·迈耶 ,  B·温克勒

IPC: B81B7/00

Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。

公开(公告)号：CN105097809B

公开(公告)日：2019-01-22

申请号：CN201510243718.8

申请日：2015-05-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·比塞尔特 ,  D·迈因霍尔德

IPC: H01L27/102 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8249

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的机械应力去耦合。根据半导体器件制造中的方法，在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽。该方法进一步包括并行地对第一沟槽的侧壁和第二沟槽的侧壁进行钝化或绝缘。相关的半导体器件包括被配置用于提供在半导体器件的第一区域和第二区域之间的机械去耦合的第一沟槽。该半导体器件进一步包括第二沟槽以及在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层。在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层具有相同材料。

公开(公告)号：CN104576843B

公开(公告)日：2017-07-14

申请号：CN201410539883.3

申请日：2014-10-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·德厄 ,  S·科尔布 ,  H·托伊斯 ,  D·迈因霍尔德

IPC: H01L33/00

CPC classification number: H01L33/44 ,  H01L33/58

Abstract: 一种用于发射经频率调节的红外光的半导体器件，包括横向发射器结构和横向滤光器结构。横向发射器结构被配置用于发射具有发射器频率分布的红外光。此外，横向滤光器结构被配置用于对由横向发射器结构发射的红外光进行滤光，从而提供具有经调节的频率分布的经频率调节的红外光。经调节的频率分布的频率范围比发射器频率分布的频率范围窄。此外，横向气体间隙位于横向发射器结构和横向滤光器结构之间。

公开(公告)号：CN105097809A

公开(公告)日：2015-11-25

申请号：CN201510243718.8

申请日：2015-05-13

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·比塞尔特 ,  D·迈因霍尔德

IPC: H01L27/102 ,  H01L27/105 ,  H01L21/8222 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/0649 ,  B81B3/0097 ,  B81C1/00063 ,  H01L21/76229 ,  H01L21/764

Abstract: 本公开涉及半导体器件中的机械应力去耦合。根据半导体器件制造中的方法，在半完成的半导体器件中并行地刻蚀第一沟槽和第二沟槽。第一沟槽为最终半导体器件的第一区域和其第二区域之间的机械去耦合沟槽。该方法进一步包括并行地对第一沟槽的侧壁和第二沟槽的侧壁进行钝化或绝缘。相关的半导体器件包括被配置用于提供在半导体器件的第一区域和第二区域之间的机械去耦合的第一沟槽。该半导体器件进一步包括第二沟槽以及在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层。在第一沟槽的侧壁处和在第二沟槽的侧壁处的侧壁涂层具有相同材料。