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公开(公告)号：CN111792616B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010145013.3
申请日：2020-03-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述的实施例涉及经由前侧沟槽的分段应力去耦。提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括衬底，该衬底具有第一表面和第二表面，该第二表面与第一表面相对布置；应力敏感传感器，该应力敏感传感器被设置于衬底的第一表面处，其中该应力敏感传感器对机械应力敏感；第一对相邻应力去耦沟槽，该第一对相邻应力去耦沟槽从应力敏感传感器的第一横向侧被横向地布置，其中第一对相邻应力去耦沟槽中的每个应力去耦沟槽从第一表面朝第二表面部分地延伸至衬底中，但不完全延伸至第二表面；以及第一弹簧结构，该第一弹簧结构被形成在第一对相邻应力去耦沟槽之间，使得第一弹簧结构从应力敏感传感器被横向地布置，并且被配置为吸收来自环境的外部应力。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111646424B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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公开(公告)号：CN111792616A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010145013.3
申请日：2020-03-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述的实施例涉及经由前侧沟槽的分段应力去耦。提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括衬底，该衬底具有第一表面和第二表面，该第二表面与第一表面相对布置；应力敏感传感器，该应力敏感传感器被设置于衬底的第一表面处，其中该应力敏感传感器对机械应力敏感；第一对相邻应力去耦沟槽，该第一对相邻应力去耦沟槽从应力敏感传感器的第一横向侧被横向地布置，其中第一对相邻应力去耦沟槽中的每个应力去耦沟槽从第一表面朝第二表面部分地延伸至衬底中，但不完全延伸至第二表面；以及第一弹簧结构，该第一弹簧结构被形成在第一对相邻应力去耦沟槽之间，使得第一弹簧结构从应力敏感传感器被横向地布置，并且被配置为吸收来自环境的外部应力。
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公开(公告)号：CN111825054A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010225315.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及应力解耦和粒子过滤器集成。提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；应力敏感传感器，设置在衬底的第一表面处，其中应力敏感传感器对机械应力敏感；应力解耦沟槽，具有从第一表面延伸到衬底中的竖直延伸，其中应力解耦沟槽朝向第二表面竖直地部分延伸至衬底中，但未完全延伸到第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从第二表面竖直地延伸至衬底中，其中多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与应力解耦沟槽的竖直延伸正交延伸的纵向延伸。
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公开(公告)号：CN111825054B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202010225315.1
申请日：2020-03-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及应力解耦和粒子过滤器集成。提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括：衬底，具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面；应力敏感传感器，设置在衬底的第一表面处，其中应力敏感传感器对机械应力敏感；应力解耦沟槽，具有从第一表面延伸到衬底中的竖直延伸，其中应力解耦沟槽朝向第二表面竖直地部分延伸至衬底中，但未完全延伸到第二表面；以及多个粒子过滤器沟槽，从第二表面竖直地延伸至衬底中，其中多个粒子过滤器沟槽中的每个粒子过滤器沟槽具有与应力解耦沟槽的竖直延伸正交延伸的纵向延伸。
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公开(公告)号：CN111646424A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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