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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111792616B
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202010145013.3
申请日：2020-03-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述的实施例涉及经由前侧沟槽的分段应力去耦。提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括衬底，该衬底具有第一表面和第二表面，该第二表面与第一表面相对布置；应力敏感传感器，该应力敏感传感器被设置于衬底的第一表面处，其中该应力敏感传感器对机械应力敏感；第一对相邻应力去耦沟槽，该第一对相邻应力去耦沟槽从应力敏感传感器的第一横向侧被横向地布置，其中第一对相邻应力去耦沟槽中的每个应力去耦沟槽从第一表面朝第二表面部分地延伸至衬底中，但不完全延伸至第二表面；以及第一弹簧结构，该第一弹簧结构被形成在第一对相邻应力去耦沟槽之间，使得第一弹簧结构从应力敏感传感器被横向地布置，并且被配置为吸收来自环境的外部应力。
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公开(公告)号：CN105810721A
公开(公告)日：2016-07-27
申请号：CN201610029223.X
申请日：2016-01-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L21/02 , H01L27/115
CPC classification number: H01L29/0657 , H01L27/11534 , H01L29/06 , H01L21/02 , H01L21/02005 , H01L27/115
Abstract: 本公开的各个实施例涉及半导体衬底装置、半导体器件及半导体衬底的加工方法。根据各个实施例，可提供一种半导体衬底装置，其中该半导体衬底装置可包括：半导体衬底，限定处于第一层级的第一区域以及处于第二层级且靠近第一区域的第二区域，其中第一层级低于第二层级；多个平面型非易失性存储器结构，在第一区域中设置在半导体衬底之上；以及多个平面型晶体管结构，在第二区域中设置在半导体衬底之上。
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公开(公告)号：CN111646424B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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公开(公告)号：CN111792616A
公开(公告)日：2020-10-20
申请号：CN202010145013.3
申请日：2020-03-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 在此描述的实施例涉及经由前侧沟槽的分段应力去耦。提供了一种半导体器件及该半导体器件的制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括衬底，该衬底具有第一表面和第二表面，该第二表面与第一表面相对布置；应力敏感传感器，该应力敏感传感器被设置于衬底的第一表面处，其中该应力敏感传感器对机械应力敏感；第一对相邻应力去耦沟槽，该第一对相邻应力去耦沟槽从应力敏感传感器的第一横向侧被横向地布置，其中第一对相邻应力去耦沟槽中的每个应力去耦沟槽从第一表面朝第二表面部分地延伸至衬底中，但不完全延伸至第二表面；以及第一弹簧结构，该第一弹簧结构被形成在第一对相邻应力去耦沟槽之间，使得第一弹簧结构从应力敏感传感器被横向地布置，并且被配置为吸收来自环境的外部应力。
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公开(公告)号：CN111646424A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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