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公开(公告)号：CN111646424A
公开(公告)日：2020-09-11
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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公开(公告)号：CN105329838B
公开(公告)日：2018-04-24
申请号：CN201510335175.2
申请日：2015-06-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81C1/00158 , B81C1/00539 , G02B26/007
Abstract: 各个实施例涉及微机电系统(MEMS)，并且特别涉及包括用于在例如显示器件中使用的像素的薄膜结构。在各个实施例中，薄膜结构包括在腔之上的单晶硅薄膜，该腔形成在硅衬底上面。薄膜结构可以包括光干涉结构，其取决于薄膜与衬底之间的可变距离而透射或者反射光的不同波长。还公开了相关的器件、系统和方法。
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公开(公告)号：CN111646424B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN201911319665.8
申请日：2019-12-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/00
Abstract: 本公开涉及具有凝胶填充的微机电系统(MEMS)元件的机械应力去耦。提供了一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括半导体芯片，该半导体芯片包括具有第一表面和与第一表面相对布置的第二表面的衬底；从第一表面延伸到衬底中的至少一个应力去耦沟槽，其中至少一个应力去耦沟槽虽然未完全延伸到第二表面，但是朝向第二表面部分地延伸到衬底中；包括敏感区域的微机电系统(MEMS)元件，设置在衬底的第一表面处并且与至少一个应力去耦沟槽横向地间隔开；以及填充至少一个应力去耦沟槽并且覆盖MEMS元件的敏感区域的应力去耦材料。
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公开(公告)号：CN105329838A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510335175.2
申请日：2015-06-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: G02B26/001 , B81C1/00158 , B81C1/00539 , G02B26/007
Abstract: 各个实施例涉及微机电系统(MEMS)，并且特别涉及包括用于在例如显示器件中使用的像素的薄膜结构。在各个实施例中，薄膜结构包括在腔之上的单晶硅薄膜，该腔形成在硅衬底上面。薄膜结构可以包括光干涉结构，其取决于薄膜与衬底之间的可变距离而透射或者反射光的不同波长。还公开了相关的器件、系统和方法。
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