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公开(公告)号：CN118790949A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410426009.2
申请日：2024-04-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的示例公开了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片；包封体，其中半导体芯片至少部分地嵌入于包封体中；金属结构，形成于包封体的外表面上，其中金属结构包括浮置部分，其中浮置部分浮置于包封体上，其中金属结构与半导体芯片电耦合。其它示例公开了一种用于制造半导体封装件的方法，方法包括：提供至少部分嵌入于包封体中的半导体芯片；在包封体上提供金属结构；通过在包封体中形成凹陷来形成金属结构的浮置部分。
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公开(公告)号：CN117907657A
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202311340535.9
申请日：2023-10-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01R19/00
Abstract: 本公开的实施例涉及磁场电流传感器的磁场整形。电流传感器系统包括磁场传感器和三个导体结构，磁场传感器包括芯片平面、对在平行于芯片平面的第一方向上对齐的第一磁场分量敏感的第一传感器元件集合，以及对在垂直于芯片平面的第二方向上对齐的第二磁场分量敏感的第二传感器元件集合；三个导体结构彼此平行布置，并且被配置成承载平行于或反平行于第三方向的电流，第三方向垂直于第一方向和第二方向。三个导体结构基于流过其中的电流生成三个磁场，其中三个磁场产生第一磁场分量的第一磁场分布和第二磁场分量的第二磁场分布。
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公开(公告)号：CN117990754A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311447025.1
申请日：2023-11-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N27/22
Abstract: 本申请涉及一种用于借助传感器芯片(10)测量氢的半导体设备(20)，传感器芯片具有带有传感器层(14)的传感器，传感器层在与氢接触时改变其机械应力，其中传感器被设计用于经由膜片(15)检测传感器层(14)的机械应力的变化，其中为了检测，通过周期性信号激励膜片(15)。本申请还涉及一种用于测量氢浓度的方法。
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公开(公告)号：CN117990746A
公开(公告)日：2024-05-07
申请号：CN202311407570.8
申请日：2023-10-27
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本申请涉及一种用于借助传感器芯片(10)测量氢的半导体设备(20)，传感器芯片具有传感器层(14)，传感器层在与氢接触时改变其机械应力。传感器芯片(10)还具有用于检测应力变化的传感器(16)，其中半导体设备(20)的结构为传感器层(14)和/或传感器(16)提供免受其他机械应力的保护。本申请还涉及一种用于测量氢浓度的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116736195A
公开(公告)日：2023-09-12
申请号：CN202310221021.5
申请日：2023-03-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及带机械保护的永磁体的磁场传感器。提出一种磁场传感器(0600)，带有：半导体芯片(0111)的，其中半导体芯片(0111)具有至少一个磁场传感器元件(0112)，其中半导体芯片(0111)嵌入半导体芯片封装部中；永磁体，其中永磁体嵌入磁体封装部中，其中在半导体芯片封装部与磁体封装部之间的边界层延伸直至磁场传感器的裸露表面。还公开了用于制造磁场传感器的方法。
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公开(公告)号：CN119269586A
公开(公告)日：2025-01-07
申请号：CN202410834468.4
申请日：2024-06-26
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G01N27/12
Abstract: 本公开的实施例涉及传感器装置。传感器装置(100)包括半导体芯片(110)和封装半导体芯片(110)的封装体(150)。半导体芯片(110)包括被配置为感测半导体芯片(110)附近的气体的特性的集成传感器电路(115)。封装体(150)包括：到集成传感器电路(115)的电接触，使得气体能够进入封装体(150)并且到达半导体芯片(110)的至少一个气体端口(152)，被配置为加热封装体(150)的内部部分的加热元件(155)。
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公开(公告)号：CN118201463A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311679455.6
申请日：2023-12-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及扇出晶圆级封装和相关制造方法。一种扇出晶圆级封装，包含磁场传感器芯片和至少部分包封磁场传感器芯片的包封材料。此外，扇出晶圆级封装包含由平坦可焊接金属涂层形成的外部电接触元件，以及布置在包封材料上方的电再分布层，其将磁场传感器芯片和外部电接触元件彼此电连接。
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公开(公告)号：CN119706727A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411307804.6
申请日：2024-09-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及集成传感器装置。根据实施例，传感器装置包括芯片载体、安装在芯片载体上的半导体芯片以及半导体芯片的连接面与芯片载体的对应的连接面之间的电连接。传感器装置还包括布置在半导体芯片上的具有传感器元件的传感器芯片。传感器芯片具有沟槽，所述沟槽使传感器元件与其余的传感器芯片机械去耦。芯片壳体形成模制料，该模制料至少部分封装半导体芯片和电连接并且在传感器元件的区域中具有开口，使得该传感器元件可以与包围传感器装置的介质相互作用。模制料覆盖半导体芯片直至传感器芯片。
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公开(公告)号：CN119028057A
公开(公告)日：2024-11-26
申请号：CN202410629860.5
申请日：2024-05-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: G07D7/10 , G07D7/1205
Abstract: 本发明涉及用于认证对象的方法和移动使用设备，该方法包括相对于包含超材料标记的对象定位毫米波收发器。由毫米波收发器朝超材料标记的方向发送发送信号，其中，基于超材料标记将发送信号转换为接收信号，该接收信号具有第一特性并且朝毫米波收发器的方向被辐射。接收信号由毫米波收发器接收并处理以检测第一特性。基于第一特性产生第一比较信息，并且执行对象基于第一比较信息的认证。
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