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公开(公告)号：CN118790949A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410426009.2
申请日：2024-04-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的示例公开了一种半导体封装件，其包括：半导体芯片；包封体，其中半导体芯片至少部分地嵌入于包封体中；金属结构，形成于包封体的外表面上，其中金属结构包括浮置部分，其中浮置部分浮置于包封体上，其中金属结构与半导体芯片电耦合。其它示例公开了一种用于制造半导体封装件的方法，方法包括：提供至少部分嵌入于包封体中的半导体芯片；在包封体上提供金属结构；通过在包封体中形成凹陷来形成金属结构的浮置部分。
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公开(公告)号：CN112291690B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202010704242.4
申请日：2020-07-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R17/02
Abstract: 本公开的实施例涉及压力传感器。提供了压力传感器及其制造方法。压力传感器可以包括：无盖结构，限定用于密封环境的内部腔室并且呈现孔；芯片，包括能够在外部压力的基础上变形的隔膜，芯片以与孔对应的方式安装在无盖结构的外部，使得隔膜封闭密封环境；以及电路系统，被配置为基于隔膜的变形来提供压力测量信息。制造至少一个压力传感器的方法可以包括：准备具有腔的叠层结构，腔通过孔与外部环境流体连通，使得叠层结构具有施加在其上的电路系统；从外部侧将芯片安装到与孔相对应的叠层结构上，芯片包括能够在外部压力的基础上变形的隔膜，隔膜封闭腔的内部环境；以及施加密封材料以在由隔膜、密封材料和叠层结构限定的空间内获得密封环境。
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公开(公告)号：CN116190245A
公开(公告)日：2023-05-30
申请号：CN202211465651.9
申请日：2022-11-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/48 , H01L23/498 , H01L21/56
Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：设置具有基部和多个金属柱的金属基板，基部是具有基本上均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装第一半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘的模制料的封装体；将第一半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。
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公开(公告)号：CN115426778A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210532825.2
申请日：2022-05-11
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 一种用于制造电气或电子器件封装体的方法(100)，所述方法(100)包括：提供第一可镀覆包封层(110)；激活第一可镀覆包封层的主表面上的第一选择性区域(120)；通过电镀覆或非电式镀覆在激活的第一选择性区域上形成第一金属化层(130)；和基于第一金属化层制造无源电构件(140)。
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公开(公告)号：CN114975144A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210177737.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 用于制造电模块的方法(10)包括：提供包括可镀覆包封材料的底部单元(11)；激活所述底部单元的所选区域并进而将它们变成导电区域(12)；提供包括外部接触元件的至少一个电器件(13)；将所述电器件放置在所述底部单元上，使得所述外部接触元件定位在导电区域的至少第一子集上方(14)；以及在导电区域上执行镀覆工艺以用于生成镀覆区域并用于将所述外部接触元件与所述镀覆区域的至少第一子集电连接(15)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397402A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010822650.X
申请日：2020-08-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 一种用于制作电子装置的方法(10)包括：提供包括包封材料(11)的包封物；提供第一激光束并通过借助于第一激光束(12)去除包封材料而在包封物的主表面中形成沟槽；沿着沟槽(13)的边缘上方的部分形成掩模；和提供第二激光束并在包封物的主表面的表面区域之上扫掠第二激光束，其中，所述表面区域至少覆盖由沟槽(14)在空间上限界的区域。
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公开(公告)号：CN114334893A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202111141251.8
申请日：2021-09-28
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L21/50 , H01L21/60 , H05K1/18
Abstract: 本发明涉及具有带有焊盘偏移特征的芯片载体的半导体封装。一种半导体封装包括：载体，具有电绝缘主体和在电绝缘主体的第一侧处的第一接触结构；以及半导体管芯，具有附接到载体的第一接触结构的第一焊盘，第一焊盘处于源极或发射极电位。第一焊盘与半导体管芯的边缘向内隔开第一距离。半导体管芯具有在边缘和第一焊盘之间的边缘终止区域。载体的第一接触结构与半导体管芯的边缘向内隔开大于第一距离的第二距离，使得在半导体管芯的正常操作期间在载体的方向上从边缘终止区域发出的电场不会到达载体的第一接触结构。还提供了制造方法。
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公开(公告)号：CN118676005A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410259601.8
申请日：2024-03-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了形成半导体封装的方法和形成多个半导体封装的方法。形成半导体封装的方法包括：提供基板；将半导体管芯安装在基板上，其中半导体管芯的主表面背向基板；在半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在基板上形成密封半导体管芯的密封剂；在密封剂的上表面处暴露垂直互连元件；在密封剂的上表面上形成与暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘；以及在密封剂的上表面上形成结构化金属区域，其中，形成结构化金属区域包括对第一级金属盘进行结构化。
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公开(公告)号：CN117316885A
公开(公告)日：2023-12-29
申请号：CN202310780880.8
申请日：2023-06-29
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 一种封装体(100)，其包括：电子部件(102)；包封材料(104)，其包封所述电子部件(102)的至少一部分；第一导电结构(106)，其布置在所述电子部件(102)的一侧上；第二导电结构(108)，其布置在所述电子部件(102)的相反的另一侧上并且与所述电子部件(102)电耦合；以及至少一个侧壁凹部(110)，其位于所述包封材料(104)处；其中，所述第一导电结构(106)和所述第二导电结构(108)被配置为在所述封装体(100)的操作期间处于不同的电势，并且所述第一导电结构(106)和所述第二导电结构(108)暴露在所述包封材料(104)的相反的主表面处。
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公开(公告)号：CN110010559B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201811497305.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 张超发 , J·阿卜杜尔瓦希德 , R·S·B·巴卡 , 陈冠豪 , 钟福兴 , 蔡国耀 , 郭雪婷 , 吕志鸿 , 刘顺利 , N·奥斯曼 , 卜佩銮 , W·莱斯 , S·施玛兹尔 , A·C·图赞·伯纳德斯
Abstract: 本公开涉及具有空气腔体的半导体封装件，提供了芯片封装及其对应制造方法的实施例。在芯片封装件的实施例中，该芯片封装件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的载体；耦合至载体的第一侧的第一芯片；耦合至载体的第二侧的第二芯片；包封剂，具有至少部分地包围位于载体的第一侧上的第一芯片的第一部分，以及至少部分地包围位于载体的第二侧上的第二芯片的第二部分；延伸穿过包封剂的第一部分、载体和包封剂的第二部分的过孔；以及导电材料，至少部分地覆盖在包封剂的第一部分或第二部分中过孔的侧壁，以在任一侧处电接触载体。
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