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公开(公告)号：CN110010559B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201811497305.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 张超发 , J·阿卜杜尔瓦希德 , R·S·B·巴卡 , 陈冠豪 , 钟福兴 , 蔡国耀 , 郭雪婷 , 吕志鸿 , 刘顺利 , N·奥斯曼 , 卜佩銮 , W·莱斯 , S·施玛兹尔 , A·C·图赞·伯纳德斯
Abstract: 本公开涉及具有空气腔体的半导体封装件，提供了芯片封装及其对应制造方法的实施例。在芯片封装件的实施例中，该芯片封装件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的载体；耦合至载体的第一侧的第一芯片；耦合至载体的第二侧的第二芯片；包封剂，具有至少部分地包围位于载体的第一侧上的第一芯片的第一部分，以及至少部分地包围位于载体的第二侧上的第二芯片的第二部分；延伸穿过包封剂的第一部分、载体和包封剂的第二部分的过孔；以及导电材料，至少部分地覆盖在包封剂的第一部分或第二部分中过孔的侧壁，以在任一侧处电接触载体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112397402A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010822650.X
申请日：2020-08-14
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/495 , H01L23/31
Abstract: 一种用于制作电子装置的方法(10)包括：提供包括包封材料(11)的包封物；提供第一激光束并通过借助于第一激光束(12)去除包封材料而在包封物的主表面中形成沟槽；沿着沟槽(13)的边缘上方的部分形成掩模；和提供第二激光束并在包封物的主表面的表面区域之上扫掠第二激光束，其中，所述表面区域至少覆盖由沟槽(14)在空间上限界的区域。
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公开(公告)号：CN118676005A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202410259601.8
申请日：2024-03-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 提供了形成半导体封装的方法和形成多个半导体封装的方法。形成半导体封装的方法包括：提供基板；将半导体管芯安装在基板上，其中半导体管芯的主表面背向基板；在半导体管芯的主表面上形成垂直互连元件；在基板上形成密封半导体管芯的密封剂；在密封剂的上表面处暴露垂直互连元件；在密封剂的上表面上形成与暴露的垂直互连元件接触的第一级金属盘；以及在密封剂的上表面上形成结构化金属区域，其中，形成结构化金属区域包括对第一级金属盘进行结构化。
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公开(公告)号：CN110010559A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811497305.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 张超发 , J·阿卜杜尔瓦希德 , R·S·B·巴卡 , 陈冠豪 , 钟福兴 , 蔡国耀 , 郭雪婷 , 吕志鸿 , 刘顺利 , N·奥斯曼 , 卜佩銮 , W·莱斯 , S·施玛兹尔 , A·C·图赞·伯纳德斯
Abstract: 本公开涉及具有空气腔体的半导体封装件，提供了芯片封装及其对应制造方法的实施例。在芯片封装件的实施例中，该芯片封装件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的载体；耦合至载体的第一侧的第一芯片；耦合至载体的第二侧的第二芯片；包封剂，具有至少部分地包围位于载体的第一侧上的第一芯片的第一部分，以及至少部分地包围位于载体的第二侧上的第二芯片的第二部分；延伸穿过包封剂的第一部分、载体和包封剂的第二部分的过孔；以及导电材料，至少部分地覆盖在包封剂的第一部分或第二部分中过孔的侧壁，以在任一侧处电接触载体。
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公开(公告)号：CN108231608A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711317084.1
申请日：2017-12-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/28 , H01L23/3107 , H01L23/498 , H01L23/562 , H01L24/96 , H01L31/0203 , H01L33/483
Abstract: 一种制造半导体封装体的方法包括：提供载体，在所述载体中制造开口，将半导体芯片附连到所述载体，以及制造覆盖所述半导体芯片的包封体。
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