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公开(公告)号：CN110010559B
公开(公告)日：2024-09-06
申请号：CN201811497305.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 张超发 , J·阿卜杜尔瓦希德 , R·S·B·巴卡 , 陈冠豪 , 钟福兴 , 蔡国耀 , 郭雪婷 , 吕志鸿 , 刘顺利 , N·奥斯曼 , 卜佩銮 , W·莱斯 , S·施玛兹尔 , A·C·图赞·伯纳德斯
Abstract: 本公开涉及具有空气腔体的半导体封装件，提供了芯片封装及其对应制造方法的实施例。在芯片封装件的实施例中，该芯片封装件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的载体；耦合至载体的第一侧的第一芯片；耦合至载体的第二侧的第二芯片；包封剂，具有至少部分地包围位于载体的第一侧上的第一芯片的第一部分，以及至少部分地包围位于载体的第二侧上的第二芯片的第二部分；延伸穿过包封剂的第一部分、载体和包封剂的第二部分的过孔；以及导电材料，至少部分地覆盖在包封剂的第一部分或第二部分中过孔的侧壁，以在任一侧处电接触载体。
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公开(公告)号：CN108231750B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201711397689.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/482 , H01L21/60
Abstract: 本申请涉及射频器件封装体及其形成方法。半导体器件封装体包括含射频器件的集成电路芯片。射频器件包括在集成电路芯片的第一表面处的有源电路。天线衬底设置在集成电路的第一表面之上。天线衬底包括设置在集成电路芯片的第一表面之上的第一导电层。第一导电层包括电耦合到集成电路芯片的第一传输线。第一层压层设置在第一导电层之上。第一层压层与第一传输线的第一部分重叠。第二导电层设置在第一层压层之上。第二导电层包括与第一传输线的第二部分重叠的第一开口。第二层压层设置在第二导电层之上。第一天线设置在第二层压层之上，并与第一开口、第一传输线的第二部分和集成电路芯片重叠。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110010559A
公开(公告)日：2019-07-12
申请号：CN201811497305.2
申请日：2018-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor： 张超发 , J·阿卜杜尔瓦希德 , R·S·B·巴卡 , 陈冠豪 , 钟福兴 , 蔡国耀 , 郭雪婷 , 吕志鸿 , 刘顺利 , N·奥斯曼 , 卜佩銮 , W·莱斯 , S·施玛兹尔 , A·C·图赞·伯纳德斯
Abstract: 本公开涉及具有空气腔体的半导体封装件，提供了芯片封装及其对应制造方法的实施例。在芯片封装件的实施例中，该芯片封装件包括：具有第一侧和与第一侧相对的第二侧的载体；耦合至载体的第一侧的第一芯片；耦合至载体的第二侧的第二芯片；包封剂，具有至少部分地包围位于载体的第一侧上的第一芯片的第一部分，以及至少部分地包围位于载体的第二侧上的第二芯片的第二部分；延伸穿过包封剂的第一部分、载体和包封剂的第二部分的过孔；以及导电材料，至少部分地覆盖在包封剂的第一部分或第二部分中过孔的侧壁，以在任一侧处电接触载体。
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公开(公告)号：CN108376829B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201810089417.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及射频器件封装及其形成方法。一种半导体器件封装包括被配置为处理射频信号的射频前端电路、第一天线、天线基板和第一导电屏障。第一天线被配置为发射/接收第一射频信号。天线基板包括第一天线。天线基板被配置为在射频前端电路和第一天线之间传送第一射频信号。第一导电屏障被配置为将第一天线电磁隔离和静电隔离。
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公开(公告)号：CN111293088A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201911227032.4
申请日：2019-12-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开的实施例涉及具有激光可激活模塑化合物的半导体封装。具体地，提供了模塑封装的实施例和对应的制造方法的实施例。在模塑封装的一个实施例中，模塑封装包括具有多个激光激活区域的激光可激活模塑化合物，该激光激活区域电镀有导电材料，以在激光可激活模塑化合物的第一侧面形成金属焊盘和/或金属走线。嵌入激光可激活模塑化合物中的半导体管芯具有多个管芯焊盘。互连体将半导体管芯的多个管芯焊盘电连接至在激光可激活模塑化合物第一侧面的金属焊盘和/或金属走线。
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公开(公告)号：CN108376829A
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201810089417.8
申请日：2018-01-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及射频器件封装及其形成方法。一种半导体器件封装包括被配置为处理射频信号的射频前端电路、第一天线、天线基板和第一导电屏障。第一天线被配置为发射/接收第一射频信号。天线基板包括第一天线。天线基板被配置为在射频前端电路和第一天线之间传送第一射频信号。第一导电屏障被配置为将第一天线电磁隔离和静电隔离。
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公开(公告)号：CN108231750A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711397689.6
申请日：2017-12-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/482 , H01L21/60
CPC classification number: H01L23/66 , H01L23/3121 , H01L23/49822 , H01L23/5286 , H01L2021/60022 , H01L2223/6644 , H01L2223/6677 , H01L2224/73204
Abstract: 本申请涉及射频器件封装体及其形成方法。半导体器件封装体包括含射频器件的集成电路芯片。射频器件包括在集成电路芯片的第一表面处的有源电路。天线衬底设置在集成电路的第一表面之上。天线衬底包括设置在集成电路芯片的第一表面之上的第一导电层。第一导电层包括电耦合到集成电路芯片的第一传输线。第一层压层设置在第一导电层之上。第一层压层与第一传输线的第一部分重叠。第二导电层设置在第一层压层之上。第二导电层包括与第一传输线的第二部分重叠的第一开口。第二层压层设置在第二导电层之上。第一天线设置在第二层压层之上，并与第一开口、第一传输线的第二部分和集成电路芯片重叠。
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