公开(公告)号：CN116403985A

公开(公告)日：2023-07-07

申请号：CN202211599789.8

申请日：2022-12-14

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 谢征林 ,  沃恩·肯·达里尔韦 ,  张豪健 ,  寮金基 ,  凯·什万·安德鲁索 ,  王慧云

IPC: H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L23/498 ,  H01L21/48

Abstract: 公开了一种形成封装半导体装置的方法和封装半导体装置。该方法包括：提供包括管芯焊盘和多个引线的引线框架；提供第一半导体管芯，第一半导体管芯包括设置在主表面上的第一负载端子；提供第二半导体管芯，第二半导体管芯包括设置在主表面上的多个I/O端子；将第一半导体管芯和第二半导体管芯安装在引线框架上，使得第一半导体管芯和第二半导体管芯的主表面背离管芯焊盘，形成封装第一半导体管芯和第二半导体管芯的电绝缘模制料的封装体，在封装体的上表面上形成多个导电轨道，导电轨道将多个I/O端子中的至少一些电连接至多个引线中的第一组引线，以及在封装体的上表面上形成金属盘，金属盘将第一负载端子电连接至多个引线中的第二引线。

公开(公告)号：CN116190245A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211465651.9

申请日：2022-11-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  托尔斯滕·迈尔 ,  谢征林 ,  沃恩·肯·达里尔韦 ,  吕志鸿 ,  李瑞家 ,  诺莉扎·莫尔班 ,  凯·什万·安德鲁索

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：设置具有基部和多个金属柱的金属基板，基部是具有基本上均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装第一半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘的模制料的封装体；将第一半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。