公开(公告)号：CN101840916B

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201010134983.X

申请日：2010-03-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 托尔斯滕·迈尔 ,  斯特凡·德克尔 ,  诺贝特·克里施克 ,  克里斯托夫·卡多

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/105 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了具有场效应管的集成电路和制造方法。一实施例提供了包括第一FET和第二FET的集成电路。将第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个。将第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。第一FET和第二FET中的每个FET的主体的沿着沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。

公开(公告)号：CN116190245A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202211465651.9

申请日：2022-11-22

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 张超发 ,  托尔斯滕·迈尔 ,  谢征林 ,  沃恩·肯·达里尔韦 ,  吕志鸿 ,  李瑞家 ,  诺莉扎·莫尔班 ,  凯·什万·安德鲁索

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括：设置具有基部和多个金属柱的金属基板，基部是具有基本上均匀厚度的平面盘，多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸；在金属基板的上表面上安装第一半导体管芯；在基部的上表面上形成电绝缘的模制料的封装体；将第一半导体管芯的端子电连接至金属柱；以及去除基部，以在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。

公开(公告)号：CN103579223A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310314298.9

申请日：2013-07-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 托尔斯滕·迈尔 ,  安德烈亚斯·迈塞尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括第一导电类型的半导体主体中的晶体管单元阵列。所述半导体装置还包括所述晶体管单元阵列中在晶体管单元之间的第一沟槽。所述第一沟槽从第一侧面延伸到所述半导体主体并包括在侧壁电耦合至所述半导体主体的pn结二极管。

公开(公告)号：CN116230560A

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN202211554632.3

申请日：2022-12-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 托尔斯滕·迈尔 ,  王慧云 ,  托马斯·贝伦斯 ,  埃里克·洛佩斯·博尼法乔 ,  张超发 ,  伊姆加德·埃舍尔-珀佩尔 ,  乔瓦尼·拉加萨·加尔宾 ,  马丁·格鲁贝尔 ,  罗天翔 ,  穆哈马德·阿济安·穆罕默德阿齐兹 ,  杨斯豪

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L23/495 ,  H01L21/48

Abstract: 一种形成半导体封装的方法包括：提供具有中心金属板和从中心金属板延伸的多个引线的引线框，中心金属板包括上表面，上表面包括从凹陷区域升高的第一台面；将半导体管芯安装在中心金属板的上表面上，使得半导体管芯的下表面至少部分地被布置在第一台面上；在半导体管芯的端子与引线之间形成电互连；在中心金属板上形成封装体，使得半导体管芯被封装体封装，并且使得引线从封装体的边缘侧突出；以及从中心金属板的后表面开始对中心金属板进行减薄，以便在封装体的下表面处隔离第一台面。

公开(公告)号：CN103579223B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201310314298.9

申请日：2013-07-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 托尔斯滕·迈尔 ,  安德烈亚斯·迈塞尔

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L21/822

CPC classification number: H01L29/0619 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0646 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66136 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/861 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明公开了包括二极管的半导体装置和制造半导体装置的方法，该半导体装置包括第一导电类型的半导体主体中的晶体管单元阵列。所述半导体装置还包括所述晶体管单元阵列中在晶体管单元之间的第一沟槽。所述第一沟槽从第一侧面延伸到所述半导体主体并包括在侧壁电耦合至所述半导体主体的pn结二极管。

公开(公告)号：CN101840916A

公开(公告)日：2010-09-22

申请号：CN201010134983.X

申请日：2010-03-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： 托尔斯滕·迈尔 ,  斯特凡·德克尔 ,  诺贝特·克里施克 ,  克里斯托夫·卡多

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/78 ,  H01L29/36 ,  H01L21/77 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/105 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/266 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823807 ,  H01L27/088 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/66537 ,  H01L29/78

Abstract: 本发明公开了具有场效应管的集成电路和制造方法。一实施例提供了包括第一FET和第二FET的集成电路。将第一FET的源极、漏极、栅极中的至少一个电连接至第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的一个。将第一FET的源极、漏极、栅极中的另外的至少一个和第二FET的源极、漏极、栅极中的对应的另外一个分别连接至电路元件。第一FET和第二FET中的每个FET的主体的沿着沟道的掺杂浓度在沟道内的峰值位置处具有峰值。