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公开(公告)号:CN111613599A
公开(公告)日:2020-09-01
申请号:CN202010107670.9
申请日:2020-02-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/495 , H01L23/31 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体封装包括衬底、半导体管芯、枝晶和模制材料。所述衬底包括管芯焊盘。所述管芯焊盘包括粗糙化特征。所述半导体管芯附接至所述管芯焊盘,从而使所述粗糙化特征与所述半导体管芯相邻。所述枝晶在与所述半导体管芯相邻的粗糙化特征上。所述模制材料包封所述半导体管芯、所述枝晶以及所述衬底的至少一部分。
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公开(公告)号:CN116230560A
公开(公告)日:2023-06-06
申请号:CN202211554632.3
申请日:2022-12-06
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Inventor: 托尔斯滕·迈尔 , 王慧云 , 托马斯·贝伦斯 , 埃里克·洛佩斯·博尼法乔 , 张超发 , 伊姆加德·埃舍尔-珀佩尔 , 乔瓦尼·拉加萨·加尔宾 , 马丁·格鲁贝尔 , 罗天翔 , 穆哈马德·阿济安·穆罕默德阿齐兹 , 杨斯豪
IPC: H01L21/56 , H01L25/07 , H01L23/495 , H01L21/48
Abstract: 一种形成半导体封装的方法包括:提供具有中心金属板和从中心金属板延伸的多个引线的引线框,中心金属板包括上表面,上表面包括从凹陷区域升高的第一台面;将半导体管芯安装在中心金属板的上表面上,使得半导体管芯的下表面至少部分地被布置在第一台面上;在半导体管芯的端子与引线之间形成电互连;在中心金属板上形成封装体,使得半导体管芯被封装体封装,并且使得引线从封装体的边缘侧突出;以及从中心金属板的后表面开始对中心金属板进行减薄,以便在封装体的下表面处隔离第一台面。
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公开(公告)号:CN116190253A
公开(公告)日:2023-05-30
申请号:CN202211481516.3
申请日:2022-11-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/60 , H01L21/56 , H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 公开了一种形成半导体封装的方法和半导体封装。该方法包括:提供金属基板,该金属基板包括基部和多个金属柱,基部是具有基本均匀厚度的平面盘,多个金属柱各自从基部的平面上表面向上延伸;在金属基板的上表面上安装半导体管芯;在基部的上表面上形成电绝缘模制料的封装体;将半导体管芯的端子电连接至金属柱;以及去除基部,以便在封装体的第一表面处从金属柱形成封装触点。
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公开(公告)号:CN114649274A
公开(公告)日:2022-06-21
申请号:CN202111548738.8
申请日:2021-12-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请公开了半导体封装及其制造方法。一种封装(100),其包括电介质载体(102)、安装在电介质载体(102)上的电子组件(104)以及包封电介质载体(102)和电子组件(104)的至少一部分的包封体(106)。
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