公开(公告)号：CN108100985A

公开(公告)日：2018-06-01

申请号：CN201711099535.9

申请日：2017-11-09

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 张超发 ,  C·盖斯勒 ,  B·戈勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈尔 ,  D·迈尔 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  黄志洋 ,  施明计 ,  M·施泰尔特 ,  C·韦希特尔

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

CPC分类号： B81B7/0058 ,  B81B2203/0315 ,  B81B2207/096 ,  B81C1/00301 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/0154

摘要： 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN108100985B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201711099535.9

申请日：2017-11-09

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： 张超发 ,  C·盖斯勒 ,  B·戈勒 ,  T·基尔格 ,  J·洛德迈尔 ,  D·迈尔 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  黄志洋 ,  施明计 ,  M·施泰尔特 ,  C·韦希特尔

IPC分类号： B81B7/00 ,  B81C1/00

摘要： 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。

公开(公告)号：CN113451280A

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN202110735342.8

申请日：2017-02-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L23/498 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/56

摘要： 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。

公开(公告)号：CN107093598A

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201710083163.4

申请日：2017-02-16

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： N-H·哈伊恩 ,  A·巴赫提 ,  V·许贝尔 ,  T·基尔格 ,  D·迈尔 ,  G·迈尔-贝格 ,  F-X·米尔赫鲍尔 ,  S·特罗塔 ,  C·韦希特尔 ,  M·沃伊诺夫斯基

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01Q1/22

CPC分类号： H01L23/49822 ,  H01L21/56 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3672 ,  H01L23/49816 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2223/6683 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/18162 ,  H01L23/66 ,  H01Q1/2283

摘要： 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。