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公开(公告)号：CN103779319B
公开(公告)日：2018-01-26
申请号：CN201310643238.1
申请日：2013-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01Q1/22 , H01Q19/10
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1423 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/207 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及具有集成天线的半导体封装及其形成方法。在本发明的一个实施例中，半导体封装包括具有第一主表面和相对的第二主表面的衬底。芯片设置在该衬底中。该芯片包括在该第一主表面的多个接触焊盘。第一天线结构设置在该第一主表面。反射器设置在该第二表面。
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公开(公告)号：CN103779336A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310637468.7
申请日：2013-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1423 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/207 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及具有集成天线的半导体封装及其形成方法。根据本发明的实施例，半导体封装包括具有第一主表面和相对的第二主表面的衬底。第一芯片设置在该衬底中。该第一芯片包括在该第一主表面的多个接触焊盘。通孔条设置在衬底中。天线结构设置在通孔条内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103779319A
公开(公告)日：2014-05-07
申请号：CN201310643238.1
申请日：2013-10-18
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01Q1/22 , H01Q19/10
CPC classification number: H01L24/82 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5384 , H01L23/5389 , H01L23/66 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/24 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/16 , H01L2223/6627 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05599 , H01L2224/12105 , H01L2224/16225 , H01L2224/24195 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/451 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/97 , H01L2225/06551 , H01L2225/06562 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/00014 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1423 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/207 , H01Q1/2283 , H01Q23/00 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2224/45099
Abstract: 本发明涉及具有集成天线的半导体封装及其形成方法。在本发明的一个实施例中，半导体封装包括具有第一主表面和相对的第二主表面的衬底。芯片设置在该衬底中。该芯片包括在该第一主表面的多个接触焊盘。第一天线结构设置在该第一主表面。反射器设置在该第二表面。
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公开(公告)号：CN113451280A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110735342.8
申请日：2017-02-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/66 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01Q1/22 , H01L21/56
Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN107093598A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710083163.4
申请日：2017-02-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: H01L23/49822 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3672 , H01L23/49816 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162 , H01L23/66 , H01Q1/2283
Abstract: 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN106847786B
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201611094799.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/49541 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162
Abstract: 电子装置(710)包括半导体封装结构(770)，半导体封装结构(770)具有第一主表面区域(772)和第二主表面区域(774)并包括半导体芯片(712)和连接器块(600)，半导体芯片(712)包括位于第二主表面区域(774)内的至少一个芯片垫(714)，连接器块(600)包括至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)，至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)以不同的横截面积(A1，A2)在第一主表面区域(772)与第二主表面区域(774)之间延伸并与半导体芯片(712)并排布置。
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公开(公告)号：CN106847786A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201611094799.0
申请日：2016-12-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/52 , H01L23/48 , H01L23/495 , H01L21/768 , H01L21/48
CPC classification number: H01L23/481 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/78 , H01L23/3128 , H01L23/3157 , H01L23/49541 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/18162 , H01L23/52 , H01L21/4821 , H01L21/768 , H01L23/48 , H01L23/495
Abstract: 电子装置(710)包括半导体封装结构(770)，半导体封装结构(770)具有第一主表面区域(772)和第二主表面区域(774)并包括半导体芯片(712)和连接器块(600)，半导体芯片(712)包括位于第二主表面区域(774)内的至少一个芯片垫(714)，连接器块(600)包括至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)，至少一个第一导电贯通连接部(602)和至少一个第二导电贯通连接部(604)以不同的横截面积(A1，A2)在第一主表面区域(772)与第二主表面区域(774)之间延伸并与半导体芯片(712)并排布置。
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