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公开(公告)号：CN118138975A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311626029.6
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本文描述了一种用于制造具有单片集成环境屏障结构(220)的MEMS麦克风器件(610)的方法，该方法包括：提供衬底结构(100)的步骤，该衬底结构包括基础衬底(200)和沉积在基础衬底(200)上的附加衬底材料层(210)；通过应用微结构化工艺在衬底结构(100)中创建微结构化的微机械环境屏障结构(220)的步骤，其中微结构化的微机械环境屏障结构(220)被配置为在阻止预定量的湿气、液体、油和固态环境颗粒中的至少一者通过的同时允许预定量的空气通过；以及通过应用微结构化工艺在衬底结构(100)的附加衬底材料(210)中创建MEMS声音换能器结构(120)的步骤，引起MEMS声音换能器结构(120)和微结构化的微机械环境屏障结构(220)均被单片集成在衬底结构(100)中。
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公开(公告)号：CN117589830A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311038329.2
申请日：2023-08-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括催化气体过滤器布置的化学电阻式气体感测设备。该气体感测设备包括：传感器芯片，包括衬底和被附接至衬底的一个或多个化学电阻式气体感测元件，其中每个气体感测元件被配置用于根据要感测的至少一种气体来提供传感器信号；以及催化气体过滤器布置，包括一个或多个过滤器区段，其中每个过滤器区段包括被至少一个膜覆盖的腔体，其中膜由支撑结构支撑并且包括能透气的孔，其中限定孔的表面包括用于降解至少一种气体的催化材料；其中气体过滤器布置被布置为使得至少一个化学电阻式气体感测元件被暴露于一个过滤器区段的腔体中的多种气体的过滤混合物，其中过滤混合物通过用一个过滤器区段过滤多种气体的环境混合物而被获得。
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公开(公告)号：CN107867672A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710867433.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00666 , B81C2201/0125 , B81C2201/013 , B81C2203/0118 , B81C2203/0127 , B81C1/0065 , B81C2201/05
Abstract: 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。
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公开(公告)号：CN104143545A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410190817.X
申请日：2014-05-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/552
CPC classification number: H01L23/552 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00
Abstract: 在各种实施例中，可以提供封装布局。封装布局可以包括至少一个芯片。封装布局可以进一步包括至少部分地包封芯片的包封材料。封装布局也可以包括在芯片的第一侧之上的重分布结构。封装布局可以进一步包括在芯片的第二侧之上的金属结构。第二侧可以与第一侧相对。封装布局可以附加地包括电耦合到重分布结构和金属结构的半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个，以在重分布结构和金属结构之间形成电流路径。
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公开(公告)号：CN118138978A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311630656.7
申请日：2023-11-30
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本文中描述了一种用于制造微机械环境屏障芯片的方法，该方法包括：提供具有第一表面和相对的第二表面的衬底的步骤；将材料层沉积到衬底的第一表面上的步骤，该材料层具有与衬底不同的蚀刻特性；通过应用微结构化工艺在材料层的顶部上创建微结构化的微机械环境屏障结构的步骤；应用各向异性蚀刻工艺的步骤，该各向异性蚀刻工艺包括：用于从衬底的第二表面朝向第一表面各向异性地蚀刻以便至少创建在微机械环境屏障结构下面的第一腔的至少一个蚀刻步骤，腔在第二表面与材料层之间延伸；以及去除微机械环境屏障结构下面的材料层以便暴露环境屏障结构的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110498385A
公开(公告)日：2019-11-26
申请号：CN201910395404.8
申请日：2019-05-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及MEMS传感器，包括传感器壳体和布置在传感器壳体中的膜，其中传感器壳体的第一子容积与膜的第一主侧面相邻，并且传感器壳体的第二子容积与膜的第二主侧面相邻，其中第二主侧面与第一主侧面相对地布置。该MEMS传感器包括传感器壳体中的第一开口，该第一开口将第一子容积与传感器壳体的外部环境透声地连接。该MEMS传感器包括传感器壳体中的第二开口，该第二开口将第二子容积与传感器壳体的外部环境透声地连接。
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公开(公告)号：CN108100985A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201711099535.9
申请日：2017-11-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B7/0058 , B81B2203/0315 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C2203/0118 , B81C2203/0154
Abstract: 一种半导体封装体包括：具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构的半导体芯片和从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的第一端口，以便提供到外部环境的链路。还提供了相应的制造方法。
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公开(公告)号：CN104517905B
公开(公告)日：2017-12-22
申请号：CN201410490549.3
申请日：2014-09-23
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/98
CPC classification number: H01L24/96 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76838 , H01L23/31 , H01L23/3114 , H01L23/48 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02317 , H01L2224/02331 , H01L2224/02379 , H01L2224/03462 , H01L2224/0347 , H01L2224/03828 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/05008 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05553 , H01L2224/05655 , H01L2224/1132 , H01L2224/1134 , H01L2224/11849 , H01L2224/12105 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/96 , H01L2924/00014 , H01L2924/10161 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00 , H01L2224/03 , H01L2224/11 , H01L2924/014 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本公开涉及用于模塑衬底的金属重分布层。通过在支撑衬底上放置多个半导体裸片、以及采用模塑化合物覆盖半导体裸片以形成模塑结构而封装集成电路，每一个半导体裸片在朝向支撑衬底的侧部上具有多个端子。随后从模塑结构移除支撑衬底以暴露具有端子的半导体裸片的侧部，以及形成在模塑结构上并且与半导体裸片的端子以及模塑化合物直接接触的金属重分布层。形成重分布层而不首先在具有半导体裸片的端子的模塑结构的侧部上形成电介质层。也公开了对应的模塑结构和单独模塑半导体封装。
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公开(公告)号：CN106082110A
公开(公告)日：2016-11-09
申请号：CN201610244599.2
申请日：2016-04-19
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81C1/00896 , B81C1/00269 , B81C1/00801 , B81C2201/0194 , B81C2201/053 , B81C1/00261 , B81B7/0058 , B81C1/00325 , B81C2203/0118 , B81C2203/019
Abstract: 本发明提出了一种制造芯片封装体的方法。在第一晶片上提供多个芯片。每个芯片都包括通向所述芯片的第一主表面的腔。所述腔被临时地填充或盖住。然后所述芯片被单片化。将单片化的芯片嵌设到封装材料中。然后重新暴露所述腔。
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公开(公告)号：CN106057777A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610223601.8
申请日：2016-04-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/552 , H01L21/56
CPC classification number: B81C1/00333 , B81B7/0064 , B81B2201/0257 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , B81C2203/0163 , H01L23/552 , H01L21/56
Abstract: 本发明提供了包括空腔式盖状物的半导体器件，具体而言，涉及具有盖状物的半导体器件和制造具有盖状物的半导体器件的方法。半导体器件包括衬底。器件位于衬底。将由半导体材料制成的盖状物设置在器件上，以在器件周围形成空腔。使用半导体工艺形成盖状物。在其他示例中，可以由非导电材料制成盖状物，例如聚合物材料。盖状物可以作为批量处理的部分形成。
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