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公开(公告)号：CN118138975A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311626029.6
申请日：2023-11-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H04R19/04
摘要： 本文描述了一种用于制造具有单片集成环境屏障结构(220)的MEMS麦克风器件(610)的方法，该方法包括：提供衬底结构(100)的步骤，该衬底结构包括基础衬底(200)和沉积在基础衬底(200)上的附加衬底材料层(210)；通过应用微结构化工艺在衬底结构(100)中创建微结构化的微机械环境屏障结构(220)的步骤，其中微结构化的微机械环境屏障结构(220)被配置为在阻止预定量的湿气、液体、油和固态环境颗粒中的至少一者通过的同时允许预定量的空气通过；以及通过应用微结构化工艺在衬底结构(100)的附加衬底材料(210)中创建MEMS声音换能器结构(120)的步骤，引起MEMS声音换能器结构(120)和微结构化的微机械环境屏障结构(220)均被单片集成在衬底结构(100)中。
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公开(公告)号：CN117589830A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311038329.2
申请日：2023-08-17
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本公开涉及包括催化气体过滤器布置的化学电阻式气体感测设备。该气体感测设备包括：传感器芯片，包括衬底和被附接至衬底的一个或多个化学电阻式气体感测元件，其中每个气体感测元件被配置用于根据要感测的至少一种气体来提供传感器信号；以及催化气体过滤器布置，包括一个或多个过滤器区段，其中每个过滤器区段包括被至少一个膜覆盖的腔体，其中膜由支撑结构支撑并且包括能透气的孔，其中限定孔的表面包括用于降解至少一种气体的催化材料；其中气体过滤器布置被布置为使得至少一个化学电阻式气体感测元件被暴露于一个过滤器区段的腔体中的多种气体的过滤混合物，其中过滤混合物通过用一个过滤器区段过滤多种气体的环境混合物而被获得。
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公开(公告)号：CN107867672A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710867433.0
申请日：2017-09-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： B81C1/00
CPC分类号： B81C1/00047 , B81C1/00666 , B81C2201/0125 , B81C2201/013 , B81C2203/0118 , B81C2203/0127 , B81C1/0065 , B81C2201/05
摘要： 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。
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公开(公告)号：CN104143545A
公开(公告)日：2014-11-12
申请号：CN201410190817.X
申请日：2014-05-07
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/552
CPC分类号： H01L23/552 , H01L21/56 , H01L23/3121 , H01L23/3128 , H01L24/18 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1461 , H01L2924/181 , H01L2924/00
摘要： 在各种实施例中，可以提供封装布局。封装布局可以包括至少一个芯片。封装布局可以进一步包括至少部分地包封芯片的包封材料。封装布局也可以包括在芯片的第一侧之上的重分布结构。封装布局可以进一步包括在芯片的第二侧之上的金属结构。第二侧可以与第一侧相对。封装布局可以附加地包括电耦合到重分布结构和金属结构的半导体结构和导电塑性材料结构中的至少一个，以在重分布结构和金属结构之间形成电流路径。
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公开(公告)号：CN113451280A
公开(公告)日：2021-09-28
申请号：CN202110735342.8
申请日：2017-02-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/66 , H01L23/31 , H01L23/367 , H01L23/498 , H01Q1/22 , H01L21/56
摘要： 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN105810595B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610042137.2
申请日：2016-01-21
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 一种用于处理产品衬底的方法包括将承载体粘结至产品衬底。将永久性粘合剂的层施加到承载体的表面上。提供结构化的中间层。所施加的永久性粘合剂将承载体粘结至产品衬底。结构化的中间层布置在产品衬底与承载体之间。结构化的中间层的表面和永久性粘合剂的表面与产品衬底的表面直接接触。结构化的中间层减小产品衬底与承载体之间的粘合强度。
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公开(公告)号：CN107093598A
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201710083163.4
申请日：2017-02-16
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/49822 , H01L21/56 , H01L23/3114 , H01L23/3672 , H01L23/49816 , H01L2223/6677 , H01L2223/6683 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/73267 , H01L2924/18162 , H01L23/66 , H01Q1/2283
摘要： 一种半导体装置包括半导体芯片和位于半导体芯片的第一侧上的再分布层。所述再分布层电耦合到半导体芯片。所述半导体装置还包括介电层和位于介电层上的天线。介电层位于天线与半导体芯片之间。
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公开(公告)号：CN118138978A
公开(公告)日：2024-06-04
申请号：CN202311630656.7
申请日：2023-11-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
摘要： 本文中描述了一种用于制造微机械环境屏障芯片的方法，该方法包括：提供具有第一表面和相对的第二表面的衬底的步骤；将材料层沉积到衬底的第一表面上的步骤，该材料层具有与衬底不同的蚀刻特性；通过应用微结构化工艺在材料层的顶部上创建微结构化的微机械环境屏障结构的步骤；应用各向异性蚀刻工艺的步骤，该各向异性蚀刻工艺包括：用于从衬底的第二表面朝向第一表面各向异性地蚀刻以便至少创建在微机械环境屏障结构下面的第一腔的至少一个蚀刻步骤，腔在第二表面与材料层之间延伸；以及去除微机械环境屏障结构下面的材料层以便暴露环境屏障结构的步骤。
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