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公开(公告)号：CN115966579A
公开(公告)日：2023-04-14
申请号：CN202211236987.8
申请日：2022-10-10
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L27/146
Abstract: 本公开的各实施例总体上涉及图像传感器设备。一种图像传感器设备包括像素。像素包括具有第一表面的半导体层。光电二极管形成在半导体层中并且被配置为基于到达光电二极管的光生成电荷载流子。存储节点形成在半导体层中，存储节点被布置为使得在光电二极管中生成的电荷载流子被转移到存储节点。遮光结构形成在半导体层中，并且遮光结构至少设置在半导体层的第一表面与储存节点之间，以防止在半导体层中远离第一表面传播的光的至少一部分到达存储节点。
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公开(公告)号：CN119706728A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202411331860.3
申请日：2024-09-24
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及半导体设备、微机电系统气体传感器、方法。示例提供了一种半导体设备。半导体设备包括辐射元件和检测元件。辐射元件包括用于辐射电磁波的辐射层。检测元件包括用于检测电磁波的检测层。此外，半导体设备包括衬底和界面层。界面层被布置在辐射元件和/或检测元件与衬底之间。辐射元件和/或检测元件的热导率不同于界面层的热导率。
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公开(公告)号：CN110116985A
公开(公告)日：2019-08-13
申请号：CN201910110532.3
申请日：2019-02-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 实施例提出了用于制造薄层(或具有薄层的微系统)的方法。该方法包括提供载体衬底的步骤。此外，该方法包括在载体衬底上提供层堆叠的步骤，其中该层堆叠具有载体层和牺牲层，其中该牺牲层具有露出载体层的区域。此外，该方法包括在层堆叠上提供薄层的步骤，使得薄层在牺牲层上并且在牺牲层的露出载体层的区域中贴靠在载体层处。此外，该方法包括从薄层开始至少部分地去除牺牲层的步骤，以便至少局部地消除在薄层和牺牲层之间的接触。此外，该方法包括从载体层剥离薄层的步骤。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110116985B
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN201910110532.3
申请日：2019-02-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 实施例提出了用于制造薄层(或具有薄层的微系统)的方法。该方法包括提供载体衬底的步骤。此外，该方法包括在载体衬底上提供层堆叠的步骤，其中该层堆叠具有载体层和牺牲层，其中该牺牲层具有露出载体层的区域。此外，该方法包括在层堆叠上提供薄层的步骤，使得薄层在牺牲层上并且在牺牲层的露出载体层的区域中贴靠在载体层处。此外，该方法包括从薄层开始至少部分地去除牺牲层的步骤，以便至少局部地消除在薄层和牺牲层之间的接触。此外，该方法包括从载体层剥离薄层的步骤。
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公开(公告)号：CN113808914A
公开(公告)日：2021-12-17
申请号：CN202110662237.6
申请日：2021-06-15
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及将半导体衬底减薄至高均匀性的方法以及半导体衬底。例如，描述了一种制造半导体器件的方法。该方法包括提供半导体衬底。半导体衬底包括高掺杂半导体衬底层、高掺杂半导体器件层以及布置在高掺杂半导体衬底层和高掺杂半导体器件层之间的低掺杂半导体蚀刻停止层。去除高掺杂半导体衬底层，其中去除包括在低掺杂半导体蚀刻停止层处停止的掺杂物选择性化学蚀刻。此外，减薄低掺杂半导体蚀刻停止层以生成高掺杂半导体器件层的暴露表面。
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公开(公告)号：CN107867672A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710867433.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81C1/00
CPC classification number: B81C1/00047 , B81C1/00666 , B81C2201/0125 , B81C2201/013 , B81C2203/0118 , B81C2203/0127 , B81C1/0065 , B81C2201/05
Abstract: 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。
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公开(公告)号：CN107867672B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN201710867433.0
申请日：2017-09-22
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种用于制作电子器件的方法包括：提供半导体晶片；在所述半导体晶片中形成多个空腔；将稳定化材料填充到所述空腔中；通过将盖片施加在所述半导体晶片上来制作临时面板，所述盖片覆盖所述空腔；将所述临时面板单个化地分割成多个半导体器件；通过将所述半导体器件嵌入包封材料中来制作嵌入式晶片；将每一个半导体器件的所述盖片去除；以及将所述嵌入式晶片单个化地分割成多个电子器件。
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公开(公告)号：CN114446772A
公开(公告)日：2022-05-06
申请号：CN202111288126.X
申请日：2021-11-02
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/18
Abstract: 本公开的实施例描述了一种制造键合衬底叠层的方法。该方法包括提供第一衬底，具有包括第一绝缘体和第一金属的第一混合界面层。该方法还包括提供第二衬底，具有包括第二绝缘体和第二金属的第二混合界面层。第一和第二混合界面层通过粒子轰击而表面活化。粒子轰击被配置为去除第一和第二混合界面层的原子以在第一和第二混合界面层上产生悬空键。表面活化的第一混合界面层和表面活化的第二混合界面层接触，从而使第一和第二混合界面层的悬空键结合在一起形成第一绝缘体到第二绝缘体键合和第一金属到第二金属键合。
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