公开(公告)号：CN114792631A

公开(公告)日：2022-07-26

申请号：CN202210089630.5

申请日：2022-01-25

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·汉普 ,  M·豪博尔德 ,  K·凯默 ,  N·西森

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/683 ,  H01L25/16

Abstract: 本公开涉及用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆。例如，一种用于晶圆接合的方法，包括：提供包括第一主面的半导体晶圆；在半导体晶圆中制造至少一个半导体器件，其中半导体器件被布置在第一主面处；在半导体晶圆中生成沟槽和腔体，使得至少一个半导体器件仅通过至少一个连接柱连接到半导体晶圆的其余部分；将半导体晶圆布置在载体晶圆上，使得第一主面面对载体晶圆；将至少一个半导体器件附接到载体晶圆；以及通过断开至少一个连接柱将半导体器件从半导体晶圆移除。

公开(公告)号：CN119706728A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411331860.3

申请日：2024-09-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·豪夫 ,  D·图姆波德 ,  T·米特雷德 ,  M·加德里 ,  S·汉普 ,  A·西格尔 ,  S·施瓦格尔

IPC: B81B7/00 ,  G01N27/18 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开涉及半导体设备、微机电系统气体传感器、方法。示例提供了一种半导体设备。半导体设备包括辐射元件和检测元件。辐射元件包括用于辐射电磁波的辐射层。检测元件包括用于检测电磁波的检测层。此外，半导体设备包括衬底和界面层。界面层被布置在辐射元件和/或检测元件与衬底之间。辐射元件和/或检测元件的热导率不同于界面层的热导率。

公开(公告)号：CN116017794A

公开(公告)日：2023-04-25

申请号：CN202211299503.4

申请日：2022-10-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·汉普 ,  K·凯默 ,  O·斯托贝克 ,  I·尤里格

IPC: H05B3/00 ,  H05B3/10 ,  H05B3/02 ,  H05B3/20

Abstract: 本公开的实施例涉及IR(红外)辐射源。IR(红外)辐射源(10)包括：密封腔结构(20)，包围具有低大气压力的真空室(22)，其中密封腔结构(20)包括用于包围真空室(22)的热隔离和电隔离材料(24、26)；多个加热丝(30)，在真空室(22)中在真空室的相对壁区域(22‑1、22‑2)处的相对电极区域(32、24)之间延伸，其中加热丝(30)电并联连接，并且其中加热丝(30)和电极区域(32、24)具有高导电材料；光学隔离结构(40)，与真空室相邻用于光学限制IR辐射(50)，并提供IR辐射(50)的主要传播方向。