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    红外辐射源
    1.
    发明公开
    红外辐射源 审中-实审

    公开(公告)号：CN116017794A

    公开(公告)日：2023-04-25

    申请号：CN202211299503.4

    申请日：2022-10-21

    Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

    Inventor： S·汉普 ,  K·凯默 ,  O·斯托贝克 ,  I·尤里格

    IPC: H05B3/00 ,  H05B3/10 ,  H05B3/02 ,  H05B3/20

    Abstract: 本公开的实施例涉及IR(红外)辐射源。IR(红外)辐射源(10)包括：密封腔结构(20)，包围具有低大气压力的真空室(22)，其中密封腔结构(20)包括用于包围真空室(22)的热隔离和电隔离材料(24、26)；多个加热丝(30)，在真空室(22)中在真空室的相对壁区域(22‑1、22‑2)处的相对电极区域(32、24)之间延伸，其中加热丝(30)电并联连接，并且其中加热丝(30)和电极区域(32、24)具有高导电材料；光学隔离结构(40)，与真空室相邻用于光学限制IR辐射(50)，并提供IR辐射(50)的主要传播方向。

    半导体装置和用于形成半导体装置的方法
    2.
    发明授权
    半导体装置和用于形成半导体装置的方法 有权

    公开(公告)号：CN108467005B

    公开(公告)日：2023-02-21

    申请号：CN201810126742.7

    申请日：2018-02-08

    Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

    Inventor： M·豪博尔德 ,  H·菲克 ,  K·凯默

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L25/00

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置(100)。该半导体装置包括膜结构(110)的至少一个悬置区域(111)。该悬挂区域在横向上位于半导体衬底(120)的表面(121)的第一区域中。此外，该半导体装置包括膜结构的膜区域(112)。在膜区域和半导体衬底的至少一部分之间在垂向上设置有空腔(130)。此外，半导体衬底的表面(121)的第一区域由半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)的表面形成。此外，半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)与相邻掺杂区(123)邻接。此外，相邻掺杂区在空腔的区域中形成半导体衬底的表面(121)的至少一部分。另外，相邻掺杂区(123)具有第一导电类型，并且屏蔽掺杂区(122)具有第二导电类型。

    用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆
    3.
    发明公开
    用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆 审中-实审

    公开(公告)号：CN114792631A

    公开(公告)日：2022-07-26

    申请号：CN202210089630.5

    申请日：2022-01-25

    Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

    Inventor： S·汉普 ,  M·豪博尔德 ,  K·凯默 ,  N·西森

    IPC: H01L21/50 ,  H01L21/683 ,  H01L25/16

    Abstract: 本公开涉及用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆。例如，一种用于晶圆接合的方法，包括：提供包括第一主面的半导体晶圆；在半导体晶圆中制造至少一个半导体器件，其中半导体器件被布置在第一主面处；在半导体晶圆中生成沟槽和腔体，使得至少一个半导体器件仅通过至少一个连接柱连接到半导体晶圆的其余部分；将半导体晶圆布置在载体晶圆上，使得第一主面面对载体晶圆；将至少一个半导体器件附接到载体晶圆；以及通过断开至少一个连接柱将半导体器件从半导体晶圆移除。

    半导体装置和用于形成半导体装置的方法
    5.
    发明公开
    半导体装置和用于形成半导体装置的方法 有权

    公开(公告)号：CN108467005A

    公开(公告)日：2018-08-31

    申请号：CN201810126742.7

    申请日：2018-02-08

    Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

    Inventor： M·豪博尔德 ,  H·菲克 ,  K·凯默

    IPC: B81B3/00 ,  B81C1/00 ,  H01L25/00

    CPC classification number: B81B3/0021 ,  B81B2201/0235 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2201/0264

    Abstract: 本发明涉及一种半导体装置(100)。该半导体装置包括膜结构(110)的至少一个悬置区域(111)。该悬挂区域在横向上位于半导体衬底(120)的表面(121)的第一区域中。此外，该半导体装置包括膜结构的膜区域(112)。在膜区域和半导体衬底的至少一部分之间在垂向上设置有空腔(130)。此外，半导体衬底的表面(121)的第一区域由半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)的表面形成。此外，半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)与相邻掺杂区(123)邻接。此外，相邻掺杂区在空腔的区域中形成半导体衬底的表面(121)的至少一部分。另外，相邻掺杂区(123)具有第一导电类型，并且屏蔽掺杂区(122)具有第二导电类型。

    图像传感器和用于图像传感器的装置
    6.
    发明公开
    图像传感器和用于图像传感器的装置 审中-实审

    公开(公告)号：CN114078893A

    公开(公告)日：2022-02-22

    申请号：CN202110912275.2

    申请日：2021-08-10

    Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

    Inventor： I·尤里格 ,  K·凯默 ,  D·奥芬贝格 ,  N·西森

    IPC: H01L27/146

    Abstract: 本公开的实施例涉及图像传感器和用于图像传感器的装置。提供了一种用于图像传感器的装置。该装置包括半导体装置，该半导体装置包括光敏区域和用于电接触光敏区域的金属化堆叠。光敏区域被配置为基于入射光产生电信号。此外，该装置包括形成在半导体装置表面上的光学堆叠，用于将入射光引导向光敏区域。光学堆叠包括在彼此的顶部堆叠的多个区域。多个区域包括滤波区域，该滤波区域被配置为选择性地透射仅在目标波长范围内的入射光。

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