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公开(公告)号：CN117246971A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202310718610.4
申请日：2023-06-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: B81B7/02
Abstract: 本公开的实施例涉及MEMS器件和具有这样的MEMS器件的装置。MEMS器件包括具有腔的衬底，并且包括膜结构，该膜结构被机械地连接到衬底，并且被配置为相对于衬底平面、并且以在超声频率范围内的频率偏转出平面，以引起流体在腔中的流体运动。MEMS器件包括阀结构，该阀结构与膜结构一起夹持腔，其中阀结构包括平面穿孔结构和闸结构，该闸结构与穿孔结构相对，并且以超声频率范围内的频率、并且相对于衬底平面、并且在第一位置与第二位置之间可移动地布置在平面内。闸结构被布置为在第一位置为流体提供第一流体阻力，并且在第二位置为流体提供更高的第二流体阻力。
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公开(公告)号：CN108467005B
公开(公告)日：2023-02-21
申请号：CN201810126742.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置(100)。该半导体装置包括膜结构(110)的至少一个悬置区域(111)。该悬挂区域在横向上位于半导体衬底(120)的表面(121)的第一区域中。此外，该半导体装置包括膜结构的膜区域(112)。在膜区域和半导体衬底的至少一部分之间在垂向上设置有空腔(130)。此外，半导体衬底的表面(121)的第一区域由半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)的表面形成。此外，半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)与相邻掺杂区(123)邻接。此外，相邻掺杂区在空腔的区域中形成半导体衬底的表面(121)的至少一部分。另外，相邻掺杂区(123)具有第一导电类型，并且屏蔽掺杂区(122)具有第二导电类型。
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公开(公告)号：CN114792631A
公开(公告)日：2022-07-26
申请号：CN202210089630.5
申请日：2022-01-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/50 , H01L21/683 , H01L25/16
Abstract: 本公开涉及用于晶圆接合的方法和化合物半导体晶圆。例如，一种用于晶圆接合的方法，包括：提供包括第一主面的半导体晶圆；在半导体晶圆中制造至少一个半导体器件，其中半导体器件被布置在第一主面处；在半导体晶圆中生成沟槽和腔体，使得至少一个半导体器件仅通过至少一个连接柱连接到半导体晶圆的其余部分；将半导体晶圆布置在载体晶圆上，使得第一主面面对载体晶圆；将至少一个半导体器件附接到载体晶圆；以及通过断开至少一个连接柱将半导体器件从半导体晶圆移除。
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公开(公告)号：CN108467005A
公开(公告)日：2018-08-31
申请号：CN201810126742.7
申请日：2018-02-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
CPC classification number: B81B3/0021 , B81B2201/0235 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264
Abstract: 本发明涉及一种半导体装置(100)。该半导体装置包括膜结构(110)的至少一个悬置区域(111)。该悬挂区域在横向上位于半导体衬底(120)的表面(121)的第一区域中。此外，该半导体装置包括膜结构的膜区域(112)。在膜区域和半导体衬底的至少一部分之间在垂向上设置有空腔(130)。此外，半导体衬底的表面(121)的第一区域由半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)的表面形成。此外，半导体衬底的屏蔽掺杂区(122)与相邻掺杂区(123)邻接。此外，相邻掺杂区在空腔的区域中形成半导体衬底的表面(121)的至少一部分。另外，相邻掺杂区(123)具有第一导电类型，并且屏蔽掺杂区(122)具有第二导电类型。
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