公开(公告)号：CN115579387A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210703692.0

申请日：2022-06-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·豪夫 ,  F·D·普菲尔施

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/06 ,  H01L29/45 ,  H01L29/861 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了包括突出区的半导体器件。提出了一种半导体器件。半导体器件包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的第一导电类型的漂移区。半导体器件进一步包括在第二表面处的第一导电类型的第一区。半导体器件进一步包括在第二表面处的被布置成相邻于第一区的第二导电类型的第二区。第二区包括第一子区和第二子区。第二子区被布置在第一子区和第二表面之间。半导体器件进一步包括在第二表面上的第一电极。第一电极被布置成直接相邻于第一区和第二子区。第一电极被借助于第一区电连接到漂移区。第一子区沿着第一横向方向经第二子区和第一区之间的界面或分离区突出。沿着竖向方向由第一子区和第一电极界定第一区的一部分。

公开(公告)号：CN113013240A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011509191.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·豪夫 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  B·施托伊布

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件，包括：半导体本体，具有前侧和背侧；第一负载端子结构和第二负载端子结构；半导体本体的有源区域；半导体本体的漂移区，具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；半导体本体的背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一和第二背侧发射极区带中的至少之一包括：多个第一区段；和/或多个第二区段。第二背侧发射极区带与第一背侧发射极区带的不同之处至少在于以下之一：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；邻近的第一区段之间的横向距离；邻近的第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。

公开(公告)号：CN115377184A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210544614.0

申请日：2022-05-19

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·豪夫 ,  H-J·舒尔茨 ,  H·舒尔茨 ,  B·斯托伊布

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861 ,  H01L29/78

Abstract: 一种功率半导体器件包括：半导体本体；第一负载端子结构和第二负载端子结构；有源区域；漂移区；背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带中的至少一个包括：多个第一区段，包括第二导电类型的至少一个第一区，具有至多50μm的最小横向延伸；和/或多个第二区段，与第二负载端子结构接触并且具有至少50μm的最小横向延伸。第二背侧发射极区带不同于第一背侧发射极区带之处在于：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；第一区段之间的横向距离；第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。

公开(公告)号：CN119706728A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411331860.3

申请日：2024-09-24

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·豪夫 ,  D·图姆波德 ,  T·米特雷德 ,  M·加德里 ,  S·汉普 ,  A·西格尔 ,  S·施瓦格尔

IPC: B81B7/00 ,  G01N27/18 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00

Abstract: 本公开涉及半导体设备、微机电系统气体传感器、方法。示例提供了一种半导体设备。半导体设备包括辐射元件和检测元件。辐射元件包括用于辐射电磁波的辐射层。检测元件包括用于检测电磁波的检测层。此外，半导体设备包括衬底和界面层。界面层被布置在辐射元件和/或检测元件与衬底之间。辐射元件和/或检测元件的热导率不同于界面层的热导率。