公开(公告)号：CN113517330A

公开(公告)日：2021-10-19

申请号：CN202110382152.2

申请日：2021-04-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  C·耶格 ,  M·耶利内克 ,  D·施勒格尔 ,  B·施托伊布

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/265 ,  H01L21/331 ,  H01L21/329 ,  H01L29/739 ,  H01L29/861

Abstract: 提出了一种垂直功率半导体器件（100）。该垂直功率半导体器件（100）包括半导体本体（102），其具有第一主表面（104）和沿着垂直方向（y）与第一主表面（104）相对的第二主表面（106）。垂直功率半导体器件（100）还包括半导体本体（102）中的漂移区（108）。漂移区（108）包括铂原子（109）。垂直功率半导体器件（100）还包括漂移区（108）与第二主表面（106）之间的半导体本体（102）中的场停止区（110）。场停止区（110）包括多个杂质峰（P1、P2）。多个杂质峰（P1、P2）中的第一杂质峰（P1）具有比多个杂质峰（P1、P2）中的第二杂质峰（P2）更大的浓度（c）。第一杂质峰（P1）包括氢，而第二杂质峰（P2）包括氦。

公开(公告)号：CN113013240A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011509191.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·巴布尔斯克 ,  M·豪夫 ,  H-J·舒尔策 ,  H·舒尔策 ,  B·施托伊布

IPC: H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/06

Abstract: 一种功率半导体器件，包括：半导体本体，具有前侧和背侧；第一负载端子结构和第二负载端子结构；半导体本体的有源区域；半导体本体的漂移区，具有第一导电类型并且被配置用于传导负载电流；半导体本体的背侧区，包括第一背侧发射极区带和第二背侧发射极区带。第一和第二背侧发射极区带中的至少之一包括：多个第一区段；和/或多个第二区段。第二背侧发射极区带与第一背侧发射极区带的不同之处至少在于以下之一：第一区段的存在；第二区段的存在；第一区段的最小横向延伸；第二区段的最小横向延伸；邻近的第一区段之间的横向距离；邻近的第二区段之间的横向距离；第一区的最小横向延伸；在同一第一区段内的邻近的第一区之间的横向距离。