公开(公告)号：CN119300385A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410890738.3

申请日：2024-07-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·柯尼格 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·福克尔 ,  C·林德兹 ,  W·舒斯特雷德 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D12/01 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及包括离子注入过程的制造半导体装置的方法，其包括：在半导体主体中形成掺杂区。形成掺杂区包括：通过第一离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第一掺杂物。此后，形成掺杂区包括：将第一热处理应用于半导体主体。此后，形成掺杂区包括：通过第二离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第二掺杂物。第一掺杂物的原子序数等于第二掺杂物的原子序数。第二离子注入过程的离子注入能量与第一离子注入过程的离子注入能量相差小于20％。第二离子注入过程的离子注入剂量与第一离子注入过程的离子注入剂量相差小于20％。

公开(公告)号：CN118899336A

公开(公告)日：2024-11-05

申请号：CN202410547147.6

申请日：2024-05-06

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  J·舍茨 ,  D·彼得斯 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10

Abstract: 本公开涉及包括夹层介电结构的垂直功率半导体装置。提出一种垂直功率半导体装置(100)。垂直功率半导体装置包括碳化硅SiC半导体主体(102)，所述SiC半导体主体(102)包括沟槽结构(104)。在SiC半导体主体(102)的第一表面(106)，沟槽结构(104)延伸到SiC半导体主体(102)中。沟槽结构(104)包括栅电极(1041)以及布置在栅电极(1041)和SiC半导体主体(102)之间的栅极电介质(1042)。夹层介电结构(108)被布置在沟槽结构(104)上。夹层介电结构(108)包括氮化铝层(1081)、氮化硅层、氧化铝层或氮化硼层中的至少一个层。垂直功率半导体装置(100)还在夹层介电结构(108)上包括源电极或发射极电极(S)。

公开(公告)号：CN117525135A

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202310980292.9

申请日：2023-08-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  R·巴伯斯克 ,  H-J·舒尔茨 ,  D·施洛格

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了功率半导体器件、生产功率半导体器件的方法和操作功率半导体器件的方法。一种功率半导体器件(1)，包括：在第一侧(110)处并且与第一负载端子(11)和第二负载端子(12)电隔离，第一控制电极(141‑1)，其用于控制在第一侧(110)处的有源区域(1‑2)中形成的第一半导体沟道结构中的负载电流；和在第二侧(120)处并且与第一负载端子(11)和第二负载端子(12)电隔离，第二控制电极(141‑2)，其用于控制在第二侧(120)处的有源区域(1‑2)中形成的第二半导体沟道结构中的负载电流。在第二侧(120)处并且在属于有源区域(1‑2)而且具有器件(1)的半导体本体的厚度的至少30％的横向延伸的毗连修改控制区域AMC(125)中，要么不提供第二控制电极(141‑2)，要么第二控制电极(141‑2)在将自由电荷载流子移除到功率半导体器件(1)之外方面比在AMC(125)外部的第二控制电极(141‑2)低效。

公开(公告)号：CN116895521A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310333782.X

申请日：2023-03-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰林克 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德 ,  D·施洛格 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L23/482 ,  H01L29/36

Abstract: 公开了制造半导体器件的方法。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。通过在第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理来在半导体本体(102)中形成半导体器件元件(108)。在半导体本体(102)的第一表面(104)上形成布线区域(110)。半导体本体(102)被经由布线区域(110)附接到载体(112)。此后，通过第二表面(106)将离子(114)注入到半导体本体(102)中。离子(114)是掺杂元素的离子，或者是通过络合物形成而引入掺杂的离子，或者是重金属的离子。利用多个激光脉冲(118)照射在第二表面(106)处半导体本体(102)的表面区(116)。此后，将载体(112)从半导体本体(102)移除。

公开(公告)号：CN116387140A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310001187.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  F·M·格拉斯 ,  M·耶利内克 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格 ,  B·莱特尔 ,  K·L·姆莱奇尼格 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅层；沉积金属层；以及对SiC衬底和SiC衬底上的层堆叠进行激光热退火，从而形成金属硅化物层。此外，描述了一种具有至少三层结构的半导体器件，其包括SiC衬底、金属硅化物层以及与衬底和金属硅化物层直接接触的多晶层。

公开(公告)号：CN115498012A

公开(公告)日：2022-12-20

申请号：CN202210685911.7

申请日：2022-06-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利尼克 ,  T·沃克特勒 ,  B·比纳尔 ,  D·施洛格 ,  H-J·舒尔茨 ,  O·J·斯普尔伯 ,  B·斯托依布 ,  C·克鲁格

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/739

Abstract: 公开了包括场停止区的半导体器件。半导体器件包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的n掺杂的漂移区。半导体器件包括被布置在第二表面处的p掺杂的第一区。半导体器件包括被布置在漂移区和第一区之间的n掺杂的场停止区。场停止区包括第一子区和第二子区。p‑n结将第一区与第一子区分离开。氢相关施主被包括在第一子区中并且被包括在第二子区中。沿着第一子区的第一竖向延伸，氢相关施主的浓度从pn结起稳定地增大到最大值，从最大值稳定地减小到在第一子区到第二子区之间的第一过渡部处的参考值。第二子区的第二竖向延伸在到漂移区的第二过渡部处结束，在其处氢相关施主的浓度等于参考值的10%。第二子区中的最大浓度值比参考值大至多20%。

公开(公告)号：CN115881521A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211197553.1

申请日：2022-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  W·舒斯特雷德 ,  A·科尼格 ,  K·L·姆莱钦 ,  B·莱特尔 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了制造包括掩埋损伤区的半导体器件的方法。提出了一种制造半导体器件(100)的方法。方法包括通过穿过半导体本体(104)的表面(106)注入第一元素来在半导体本体中形成掩埋损伤区(102)。多于60%的所注入的第一元素位于第一元素的穿透深度(p1)的90%至100%的范围内。之后，方法进一步包括通过穿过半导体本体的表面注入第二元素来在半导体本体中形成掺杂区(108)，其中第二元素的穿透深度在第一元素的穿透深度的100%至130%的范围内。

公开(公告)号：CN115863158A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211163563.3

申请日：2022-09-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  M·德拉吉奇 ,  M·皮钦 ,  M·D·斯沃博达

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/304 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

Abstract: 提出了一种制造半导体器件（100）的方法。该方法包括提供包括第一导电类型的衬底部分的母衬底（102）。该方法还包括通过穿过母衬底（102）的第一表面的元素的离子注入工艺在母衬底（102）中形成吸收层（106）。该方法还包括在母衬底（102）的第一表面（108）上形成半导体层结构（110）。该方法还包括穿过分离层（114）沿着分割区段（112）分割母衬底（102）。分离层（114）布置在吸收层（106）和母衬底（102）的第二表面（116）之间，与吸收层相距垂直距离（d）。

公开(公告)号：CN114864677A

公开(公告)日：2022-08-05

申请号：CN202210113386.1

申请日：2022-01-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西门尼克 ,  I·穆里 ,  T·施洛瑟 ,  H-J·舒尔茨 ,  O·斯托贝克

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了晶体管器件及其制造方法。提出了一种晶体管器件(10)。晶体管器件(10)的示例包括半导体本体(100)，其具有第一主表面(101)、与第一主表面(101)相对的第二主表面(102)。晶体管器件(10)进一步包括晶体管单元阵列(610)，其包括多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)包括在第一主表面(101)上的第一负载电极(L1)。第一负载电极(L1)被电连接到多个晶体管单元(TC)。晶体管单元阵列(610)进一步包括在第二主表面(102)上的第二负载电极(L2)。第二负载电极(L2)被电连接到多个晶体管单元(TC)。多个晶体管单元(TC)包括至少一个控制电极(C)，该至少一个控制电极(C)包括碳。

公开(公告)号：CN114787985A

公开(公告)日：2022-07-22

申请号：CN202080085199.6

申请日：2020-12-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·拜尔 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯 ,  H-J·舒尔茨 ,  M·D·斯沃博达

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/02

Abstract: 一种分割半导体晶片的方法，包括：在半导体晶片上形成一个或多个外延层；在一个或多个外延层中形成多个器件结构；在多个器件结构之上形成金属化层和/或钝化层；将载板附接到具有一个或多个外延层的半导体晶片，载板保护多个器件结构并且机械地稳定半导体晶片；在半导体晶片内形成分离区，该分离区具有至少一种改变的物理性质，其相对于半导体晶片的其余部分增加分离区内的热机械应力；以及，向半导体晶片施加外力，使得至少一个裂纹沿分离区传播，并且半导体晶片分割成两个单独的工件，工件中的一个保持多个器件结构。