公开(公告)号：CN115706167A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210966880.2

申请日：2022-08-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·福克尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/739 ,  H01L21/331 ,  H01L29/16 ,  H01L29/10

Abstract: 公开了半导体器件及其制造方法。一种包括晶体管的半导体器件。晶体管包括被布置在栅极沟槽中的栅极电极，栅极沟槽被形成在碳化硅衬底的第一部分中并且在第一水平方向上延伸，栅极沟槽将碳化硅衬底的第一部分图案化为脊部。晶体管包括第一导电类型的源极区、第二导电类型的沟道区和第一导电类型的漂移区。源极区、沟道区和漂移区的一部分被布置在脊部中，从源极区到漂移区的电流路径在碳化硅衬底的深度方向上延伸。第二导电类型的本体接触部分被布置在碳化硅衬底的第二部分中，第二部分在与第一水平方向相交的第二水平方向上延伸。本体接触部分被电连接到沟道区，在碳化硅衬底的深度方向上延伸到栅极沟槽的底部侧下方的部分，与漂移区直接相邻。

公开(公告)号：CN119300385A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410890738.3

申请日：2024-07-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·柯尼格 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·福克尔 ,  C·林德兹 ,  W·舒斯特雷德 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D12/01 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及包括离子注入过程的制造半导体装置的方法，其包括：在半导体主体中形成掺杂区。形成掺杂区包括：通过第一离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第一掺杂物。此后，形成掺杂区包括：将第一热处理应用于半导体主体。此后，形成掺杂区包括：通过第二离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第二掺杂物。第一掺杂物的原子序数等于第二掺杂物的原子序数。第二离子注入过程的离子注入能量与第一离子注入过程的离子注入能量相差小于20％。第二离子注入过程的离子注入剂量与第一离子注入过程的离子注入剂量相差小于20％。

公开(公告)号：CN115706168A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210973983.1

申请日：2022-08-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·福克尔 ,  H·韦伯 ,  T·F·W·霍克鲍尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了晶体管器件和用于形成晶体管器件的方法。晶体管器件包括：SiC半导体本体(100)，其包括第一半导体层(110)和形成在第一半导体层(110)的顶部上的第二半导体层(120)；沟槽结构(2)，其从半导体本体(100)的第一表面(101)延伸通过第二半导体层(120)进入到第一半导体层中；漏极区(31)，其被布置在第一半导体层(110)内；以及多个晶体管单元(1)，每个晶体管单元耦合在漏极区(31)和源极节点(S)之间。沟槽结构(2)将第二半导体层(120)划分成多个台面区(121)并且包括至少一个腔体(22)。多个晶体管单元(2)中的至少之一被至少部分地集成在台面区(121)的每个中。