公开(公告)号：CN119730314A

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202411350023.5

申请日：2024-09-26

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·艾兴格 ,  H·韦伯 ,  M·赫尔 ,  W·贝格纳 ,  A·蒂尔克 ,  G·齐米斯 ,  A·米哈伊洛夫 ,  G·雷舍尔

IPC: H10D30/63 ,  H10D62/10 ,  H10D62/83 ,  H10D64/27 ,  H10D64/68 ,  H10D84/83

Abstract: 公开了一种晶体管装置。晶体管装置包括半导体主体(100)和多个晶体管基元(1)。每个晶体管基元包括：第一掺杂类型的漂移区(11)和源极区(13)；与第一掺杂类型互补的第二掺杂类型的主体区(12)；第二掺杂类型的场整形区(31)，连接到源极节点(S)；和栅极电极(21)，连接到栅极节点(G)。栅极电极(21)被布置在从第一表面(101)延伸到半导体主体(100)中的沟槽(23)中，栅极电极(21)通过栅极电介质(22)与主体区(12)介电绝缘，栅极电极(21)的至少部分通过场电介质(32)与漂移区(11)介电绝缘，场整形区(31)与沟槽(23)邻接，并且场电介质(32)包括高k电介质。

公开(公告)号：CN119300404A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410898454.9

申请日：2024-07-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·艾兴格 ,  W·贝格纳 ,  H·韦伯 ,  M·赫尔 ,  A·蒂尔克 ,  G·齐米斯

IPC: H10D30/60 ,  H10D64/00 ,  H10D64/27 ,  H10D84/83

Abstract: 公开了晶体管器件和用于制造晶体管器件的方法。晶体管器件包括半导体主体(100)和多个晶体管单元(1)。每个晶体管单元包括：漂移区(11)、主体区(12)和源极区(13)；栅极电极(21)，其被连接到栅极节点(G)；以及场电极(31)，其被连接到源极节点(S)。栅极电极(21)被通过栅极电介质(22)与主体区(12)介电绝缘，并且栅极电极(21)被布置在从第一表面(101)延伸到半导体主体(100)中的第一沟槽(23)中。场电极(31)被通过高k电介质(32)与漂移区(11)介电绝缘，并且场电极(31)被布置在第二沟槽(33)中。第二沟槽(33)从第一表面(101)延伸到半导体主体(100)中并且与第一沟槽(23)间隔开，以及场电极(31)至少如第一沟槽(23)那样深地延伸到半导体主体(100)中。

公开(公告)号：CN115706168A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210973983.1

申请日：2022-08-15

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·福克尔 ,  H·韦伯 ,  T·F·W·霍克鲍尔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了晶体管器件和用于形成晶体管器件的方法。晶体管器件包括：SiC半导体本体(100)，其包括第一半导体层(110)和形成在第一半导体层(110)的顶部上的第二半导体层(120)；沟槽结构(2)，其从半导体本体(100)的第一表面(101)延伸通过第二半导体层(120)进入到第一半导体层中；漏极区(31)，其被布置在第一半导体层(110)内；以及多个晶体管单元(1)，每个晶体管单元耦合在漏极区(31)和源极节点(S)之间。沟槽结构(2)将第二半导体层(120)划分成多个台面区(121)并且包括至少一个腔体(22)。多个晶体管单元(2)中的至少之一被至少部分地集成在台面区(121)的每个中。

公开(公告)号：CN104701160B

公开(公告)日：2018-04-13

申请号：CN201410742729.6

申请日：2014-12-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  M·聪德尔 ,  A·毛德 ,  A·梅瑟 ,  F·希尔勒 ,  H·韦伯

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种制造半导体结构的方法，其可包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；实施阳极氧化以在衬底表面上形成氧化物层，其中在表面沿n掺杂区延伸的第一部分中的氧化物层比在表面沿p掺杂区延伸的第二部分中的氧化物层具有更大的厚度。

公开(公告)号：CN104701160A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410742729.6

申请日：2014-12-05

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔策 ,  M·聪德尔 ,  A·毛德 ,  A·梅瑟 ,  F·希尔勒 ,  H·韦伯

IPC: H01L21/316 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/0223 ,  H01L21/02238 ,  H01L21/02255 ,  H01L21/02258 ,  H01L21/225 ,  H01L21/265 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66696 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813

Abstract: 提供一种制造半导体结构的方法，其可包括：在衬底中形成与n掺杂区相邻的p掺杂区；实施阳极氧化以在衬底表面上形成氧化物层，其中在表面沿n掺杂区延伸的第一部分中的氧化物层比在表面沿p掺杂区延伸的第二部分中的氧化物层具有更大的厚度。