-
公开(公告)号：CN119300385A
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202410890738.3
申请日：2024-07-04
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及包括离子注入过程的制造半导体装置的方法，其包括：在半导体主体中形成掺杂区。形成掺杂区包括：通过第一离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第一掺杂物。此后，形成掺杂区包括：将第一热处理应用于半导体主体。此后，形成掺杂区包括：通过第二离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第二掺杂物。第一掺杂物的原子序数等于第二掺杂物的原子序数。第二离子注入过程的离子注入能量与第一离子注入过程的离子注入能量相差小于20％。第二离子注入过程的离子注入剂量与第一离子注入过程的离子注入剂量相差小于20％。
-
公开(公告)号：CN119497496A
公开(公告)日：2025-02-21
申请号：CN202411127094.9
申请日：2024-08-16
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 公开了包括超结结构的半导体器件。一种半导体器件(10)，包括晶体管。晶体管包括被形成在半导体衬底(100)中的多个栅极沟槽(111)，栅极沟槽(111)使半导体衬底(100)图案化为脊(114)。晶体管还包括栅极电极(110)，其被布置在栅极沟槽(111)中的至少一个中。源极区(124)、沟道区(122)、部分电流扩散区(126)被布置在脊(114)中。半导体器件(10)还包括超结结构(117)，其被布置在与沟道区(122)相比距源极区(124)更大的距离处。超结结构(117)包括第一导电类型的第一补偿区(118)和第二导电类型的第二补偿区(119)。沟道区(122)的第二导电类型的掺杂部分(120)的掺杂浓度在与第一水平方向相交的第二水平方向上从靠近栅极电极(110)的区到脊(114)的中心部分降低。
-
公开(公告)号：CN118198101A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202311715810.0
申请日：2023-12-13
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/06 , H01L29/78 , H01L21/336
Abstract: 公开了具有场终止结构和电荷平衡结构的半导体器件以及生产半导体器件的方法。一种半导体器件，包括：半导体衬底，其具有包括多个器件单元的有源器件区和在有源器件区与半导体衬底的边缘之间的终止区；场终止结构，其在终止区中并且包括第一导电类型的连续区和在连续区中的并且具有比连续区高的平均掺杂浓度的第一导电类型的多个环；和电荷平衡结构，其在有源器件区中并且包括第一导电类型和与第一导电类型相反的第二导电类型的交错的纵列。电荷平衡结构延伸到场终止结构下方的终止区中，使得第一导电类型的纵列中的至少最外纵列被连接到场终止结构的连续区。
-
公开(公告)号：CN117637843A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202311083783.X
申请日：2023-08-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/336
Abstract: 本公开涉及半导体装置和用于制造半导体装置的方法。半导体装置包括包含多个晶体管基元的晶体管，晶体管基元包括：栅电极，被布置在栅极沟槽中，栅极沟槽被形成在碳化硅基底的第一部分中并且沿第一水平方向延伸。晶体管基元还包括：源极区、沟道区和电流扩展区，源极区和沟道区和电流扩展区的至少一部分被布置在由栅极沟槽图案化的脊中。从源极区到电流扩展区的电流路径沿碳化硅基底的深度方向延伸。晶体管基元还包括：第二导电型的主体接触部分，被布置在碳化硅基底的第二部分中，主体接触部分按照电气方式连接到沟道区；和第二导电型的屏蔽区，屏蔽区的第一部分分别被布置在栅极沟槽下方并且屏蔽区的第二部分分别被布置为与栅极沟槽的侧壁相邻。
-
-
-
Search Results
4
records
(took 0.019 seconds)
