公开(公告)号：CN119497496A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202411127094.9

申请日：2024-08-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·赫尔 ,  C·林德兹 ,  R·埃尔佩尔特 ,  B·费舍尔

IPC: H10K30/88 ,  H10K30/40 ,  H10K30/50 ,  H10K71/00

Abstract: 公开了包括超结结构的半导体器件。一种半导体器件(10)，包括晶体管。晶体管包括被形成在半导体衬底(100)中的多个栅极沟槽(111)，栅极沟槽(111)使半导体衬底(100)图案化为脊(114)。晶体管还包括栅极电极(110)，其被布置在栅极沟槽(111)中的至少一个中。源极区(124)、沟道区(122)、部分电流扩散区(126)被布置在脊(114)中。半导体器件(10)还包括超结结构(117)，其被布置在与沟道区(122)相比距源极区(124)更大的距离处。超结结构(117)包括第一导电类型的第一补偿区(118)和第二导电类型的第二补偿区(119)。沟道区(122)的第二导电类型的掺杂部分(120)的掺杂浓度在与第一水平方向相交的第二水平方向上从靠近栅极电极(110)的区到脊(114)的中心部分降低。