公开(公告)号：CN119300385A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410890738.3

申请日：2024-07-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·柯尼格 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·福克尔 ,  C·林德兹 ,  W·舒斯特雷德 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D12/01 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及包括离子注入过程的制造半导体装置的方法，其包括：在半导体主体中形成掺杂区。形成掺杂区包括：通过第一离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第一掺杂物。此后，形成掺杂区包括：将第一热处理应用于半导体主体。此后，形成掺杂区包括：通过第二离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第二掺杂物。第一掺杂物的原子序数等于第二掺杂物的原子序数。第二离子注入过程的离子注入能量与第一离子注入过程的离子注入能量相差小于20％。第二离子注入过程的离子注入剂量与第一离子注入过程的离子注入剂量相差小于20％。

公开(公告)号：CN116387140A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310001187.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  F·M·格拉斯 ,  M·耶利内克 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格 ,  B·莱特尔 ,  K·L·姆莱奇尼格 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅层；沉积金属层；以及对SiC衬底和SiC衬底上的层堆叠进行激光热退火，从而形成金属硅化物层。此外，描述了一种具有至少三层结构的半导体器件，其包括SiC衬底、金属硅化物层以及与衬底和金属硅化物层直接接触的多晶层。

公开(公告)号：CN116895536A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310350715.9

申请日：2023-04-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·朗格 ,  M·罗斯纳 ,  E·威尔彻 ,  R·克恩 ,  V·波纳留 ,  A·柯尼格

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/04 ,  H01L23/482 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了具有金属硅化物层的半导体器件。提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，提供了一种制造半导体器件的方法。在碳化硅(SiC)层上形成第一层。第一层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。第一层包括金属。可以将第一热能引导到第一层的第一表面以由第一层的金属和SiC层的硅形成金属硅化物层。金属硅化物层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。可以将第二热能引导到金属硅化物层的第一表面以降低金属硅化物层的第一表面的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN116581028A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310097415.4

申请日：2023-02-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔希 ,  T·R·西米耶尼克 ,  W·舒斯特雷德 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·柯尼格

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了具有金属界面层的碳化硅器件以及制造方法。制造半导体器件的方法包括形成从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中的沟槽(209)。在碳化硅本体(100)中形成第一掺杂区(291)和相反掺杂的第二掺杂区(292)。在沟槽(209)的下侧壁部分(202)上形成下层结构(210)。上层堆叠(220)被形成在上侧壁部分(201)上和/或第一表面(101)上。第一掺杂区(291)和上层堆叠(220)沿着上侧壁部分(201)和/或在第一表面(101)上直接接触。第二掺杂区(292)和下层结构(210)沿着下侧壁部分(202)直接接触。

公开(公告)号：CN117594434A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311000827.8

申请日：2023-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔希 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本公开涉及一种用于在碳化硅半导体衬底上制造接触的方法以及涉及一种碳化硅半导体器件，该碳化硅半导体器件包括：晶体碳化硅半导体衬底；和接触层，与所述碳化硅半导体衬底表面直接接触并且在与所述半导体衬底的界面处具有至少包括金属、硅和碳的接触相部分。该方法包括以下动作：提供晶体碳化硅半导体衬底；将金属接触材料层沉积到所述晶体碳化硅半导体衬底上；以及利用至少一个热退火激光束在所述碳化硅半导体衬底和所述金属接触材料层的界面处辐照所述碳化硅半导体衬底的至少一部分和所述金属接触材料层的至少一部分，由此在所述界面处生成接触相部分，其中所述接触相部分至少包括金属、硅和碳。