公开(公告)号：CN116895536A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310350715.9

申请日：2023-04-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·朗格 ,  M·罗斯纳 ,  E·威尔彻 ,  R·克恩 ,  V·波纳留 ,  A·柯尼格

IPC: H01L21/48 ,  H01L21/04 ,  H01L23/482 ,  H01L21/02

Abstract: 公开了具有金属硅化物层的半导体器件。提供一种半导体器件和制造半导体器件的方法。在实施例中，提供了一种制造半导体器件的方法。在碳化硅(SiC)层上形成第一层。第一层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。第一层包括金属。可以将第一热能引导到第一层的第一表面以由第一层的金属和SiC层的硅形成金属硅化物层。金属硅化物层具有远离SiC层的第一表面和靠近SiC层的第二表面。可以将第二热能引导到金属硅化物层的第一表面以降低金属硅化物层的第一表面的表面粗糙度。

公开(公告)号：CN117594434A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202311000827.8

申请日：2023-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔希 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本公开涉及一种用于在碳化硅半导体衬底上制造接触的方法以及涉及一种碳化硅半导体器件，该碳化硅半导体器件包括：晶体碳化硅半导体衬底；和接触层，与所述碳化硅半导体衬底表面直接接触并且在与所述半导体衬底的界面处具有至少包括金属、硅和碳的接触相部分。该方法包括以下动作：提供晶体碳化硅半导体衬底；将金属接触材料层沉积到所述晶体碳化硅半导体衬底上；以及利用至少一个热退火激光束在所述碳化硅半导体衬底和所述金属接触材料层的界面处辐照所述碳化硅半导体衬底的至少一部分和所述金属接触材料层的至少一部分，由此在所述界面处生成接触相部分，其中所述接触相部分至少包括金属、硅和碳。

公开(公告)号：CN117334620A

公开(公告)日：2024-01-02

申请号：CN202310799280.6

申请日：2023-06-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： G·朗格 ,  B·戈勒 ,  N·米什拉 ,  M·皮钦 ,  F-J·皮克勒

IPC: H01L21/683

Abstract: 公开了在半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括在半导体本体(102)的第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将半导体本体(102)经由第一表面(104)附接到载体(106)。载体(106)包括内部部分(1061)和至少部分地围绕内部部分(1061)的外部部分(1062)。方法还包括在与第一表面(104)相对的第二表面处对半导体本体(102)进行处理。方法还包括将载体(106)的内部部分(1061)从半导体本体(102)拆离。

公开(公告)号：CN116387140A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310001187.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  F·M·格拉斯 ,  M·耶利内克 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格 ,  B·莱特尔 ,  K·L·姆莱奇尼格 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅层；沉积金属层；以及对SiC衬底和SiC衬底上的层堆叠进行激光热退火，从而形成金属硅化物层。此外，描述了一种具有至少三层结构的半导体器件，其包括SiC衬底、金属硅化物层以及与衬底和金属硅化物层直接接触的多晶层。