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公开(公告)号：CN116581028A
公开(公告)日：2023-08-11
申请号：CN202310097415.4
申请日：2023-02-08
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28 , H01L29/78 , H01L29/45
Abstract: 公开了具有金属界面层的碳化硅器件以及制造方法。制造半导体器件的方法包括形成从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中的沟槽(209)。在碳化硅本体(100)中形成第一掺杂区(291)和相反掺杂的第二掺杂区(292)。在沟槽(209)的下侧壁部分(202)上形成下层结构(210)。上层堆叠(220)被形成在上侧壁部分(201)上和/或第一表面(101)上。第一掺杂区(291)和上层堆叠(220)沿着上侧壁部分(201)和/或在第一表面(101)上直接接触。第二掺杂区(292)和下层结构(210)沿着下侧壁部分(202)直接接触。
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公开(公告)号：CN118800754A
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410440486.4
申请日：2024-04-12
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L29/66
Abstract: 本公开涉及包括源极或发射极焊盘的垂直功率半导体装置，其包括：SiC半导体主体，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面。第一配线层级被布置在第一表面之上，包括第一下源极或发射极焊盘和第二下源极或发射极焊盘。第二配线层级被布置在第一配线层级之上，包括栅极焊盘和源极或发射极焊盘。第二配线层级的源极或发射极焊盘按照电气方式连接到第一配线层级的第一下源极或发射极焊盘和第二下源极或发射极焊盘。第一配线层级还包括：栅极线，沿侧向布置在第一下源极或发射极焊盘和第二下源极或发射极焊盘之间，且沿垂直方向布置在第二配线层级的源极或发射极焊盘和第一表面之间。通过中间介电结构，栅极线与第二配线层级的源极或发射极焊盘电绝缘。
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公开(公告)号：CN115692181A
公开(公告)日：2023-02-03
申请号：CN202210857182.9
申请日：2022-07-21
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本申请涉及在碳化硅衬底上制造欧姆接触的方法，除其他步骤外，所述方法还包括以下步骤：提供4H‑SiC或6H‑SiC衬底；将掺杂剂注入4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中；退火注入表面区，从而生成3C‑SiC层；以及在3C‑SiC层上沉积金属层，其中注入步骤包括具有至少两个不同注入能级的多个等离子体沉积步骤，并且其中选择注入能量和注入剂量以在退火步骤期间在4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中生成3C‑SiC层。此外，描述了通过应用本文所述方法来制造半导体器件的方法以及使用该方法获得的半导体器件，所述半导体器件具有至少三层的结构，包括4H‑SiC或6H‑SiC层、3C‑SiC层和金属层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107785251A
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201710740763.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/45
CPC classification number: H01L21/324 , H01L21/32134 , H01L29/66348 , H01L29/7397 , H01L21/28512 , H01L21/28568 , H01L29/456
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底的表面之上形成阻挡层。通过使所述阻挡层的暴露表面经受表面处理工艺来形成经处理的阻挡层。所述表面处理工艺包括用反应性材料处理所述表面。在所述经处理的阻挡层之上形成材料层。所述材料层包括金属。
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公开(公告)号：CN117594434A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311000827.8
申请日：2023-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于在碳化硅半导体衬底上制造接触的方法以及涉及一种碳化硅半导体器件，该碳化硅半导体器件包括：晶体碳化硅半导体衬底；和接触层，与所述碳化硅半导体衬底表面直接接触并且在与所述半导体衬底的界面处具有至少包括金属、硅和碳的接触相部分。该方法包括以下动作：提供晶体碳化硅半导体衬底；将金属接触材料层沉积到所述晶体碳化硅半导体衬底上；以及利用至少一个热退火激光束在所述碳化硅半导体衬底和所述金属接触材料层的界面处辐照所述碳化硅半导体衬底的至少一部分和所述金属接触材料层的至少一部分，由此在所述界面处生成接触相部分，其中所述接触相部分至少包括金属、硅和碳。
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公开(公告)号：CN117594433A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202310998505.0
申请日：2023-08-09
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
Abstract: 本公开涉及一种用于在SiC衬底上制造接触的方法，其中方法包括：提供晶体SiC衬底；对SiC衬底的表面区域中的晶体结构进行修改，并且由此在表面区域中生成富碳的SiC部分；通过将金属性接触材料沉积到包括富碳的SiC部分的表面区域上来在SiC衬底上形成接触层；以及对SiC衬底的富碳的SiC部分的至少一部分和接触层的至少一部分进行热退火，由此生成至少包括金属性接触材料、硅和碳的三元金属性相部分。更进一步地，描述了SiC半导体器件，其包括：晶体SiC衬底；和接触层，其包括直接与SiC衬底表面接触的三元金属性相部分。
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公开(公告)号：CN114944329A
公开(公告)日：2022-08-26
申请号：CN202210146235.6
申请日：2022-02-17
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/78
Abstract: 公开一种用于形成SiC MOSFET的方法和SiC MOSFET。所述方法包括：形成邻接布置在半导体本体（100）中的本体区（11）的栅极电介质（2），以及在栅极电介质（2）上形成栅电极（3）。形成栅电极（3）包括：形成第一电极层（31），将功函数调节原子注入到第一电极层（31）中，以及在第一电极层（31）上形成第二电极层（32）。
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公开(公告)号：CN107785251B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201710740763.3
申请日：2017-08-25
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L21/285 , H01L29/45
Abstract: 一种制造半导体器件的方法包括在半导体衬底的表面之上形成阻挡层。通过使所述阻挡层的暴露表面经受表面处理工艺来形成经处理的阻挡层。所述表面处理工艺包括用反应性材料处理所述表面。在所述经处理的阻挡层之上形成材料层。所述材料层包括金属。
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