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发明公开
用于在碳化硅衬底上制造接触的方法以及碳化硅半导体器件审中-公开

公开(公告)号：CN117594433A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310998505.0

申请日：2023-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 , W·舒斯特雷德 , R·K·乔希 , H-J·舒尔茨 , D·克拉斯诺忠

IPC: H01L21/28 , H01L29/45

Abstract: 本公开涉及一种用于在SiC衬底上制造接触的方法，其中方法包括：提供晶体SiC衬底；对SiC衬底的表面区域中的晶体结构进行修改，并且由此在表面区域中生成富碳的SiC部分；通过将金属性接触材料沉积到包括富碳的SiC部分的表面区域上来在SiC衬底上形成接触层；以及对SiC衬底的富碳的SiC部分的至少一部分和接触层的至少一部分进行热退火，由此生成至少包括金属性接触材料、硅和碳的三元金属性相部分。更进一步地，描述了SiC半导体器件，其包括：晶体SiC衬底；和接触层，其包括直接与SiC衬底表面接触的三元金属性相部分。

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