公开(公告)号：CN117954503A

公开(公告)日：2024-04-30

申请号：CN202311417532.0

申请日：2023-10-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T·R·西米耶尼克 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/739 ,  H01L29/732 ,  H01L21/336 ,  H01L21/331

Abstract: 公开了包括SIC半导体本体的竖向功率半导体器件。提出了一种竖向功率半导体器件(100)。竖向功率半导体器件(100)包括SiC半导体本体(102)，SiC半导体本体(102)具有沿着竖向方向(y)彼此相对的第一表面(104)和第二表面(106)。SiC半导体本体(102)包括在SiC半导体衬底(1022)上的至少一个SiC半导体层(1021)。pn结(108)被形成在至少一个SiC半导体层(1021)中。第一负载电极(L1)被布置在第一表面(104)上。竖向功率半导体器件(100)进一步包括从第二表面(106)延伸到SiC半导体衬底(1022)中的多个第一沟槽(110)。第二负载电极(L2)被布置在第二表面(106)上。第二负载电极(L2)被至少经由多个第一沟槽(110)的侧壁(112)电连接到SiC半导体衬底(1022)。在第二表面(106)处的多个第一沟槽的最小横向延伸(l1)与多个第一沟槽(110)距第二表面(106)的深度(t1)之间的比率在从0.5至5的范围内。

公开(公告)号：CN115692181A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210857182.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特雷德 ,  R·K·乔希 ,  H-J·舒尔茨 ,  R·西米尼克 ,  A·科尼格

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请涉及在碳化硅衬底上制造欧姆接触的方法，除其他步骤外，所述方法还包括以下步骤：提供4H‑SiC或6H‑SiC衬底；将掺杂剂注入4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中；退火注入表面区，从而生成3C‑SiC层；以及在3C‑SiC层上沉积金属层，其中注入步骤包括具有至少两个不同注入能级的多个等离子体沉积步骤，并且其中选择注入能量和注入剂量以在退火步骤期间在4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中生成3C‑SiC层。此外，描述了通过应用本文所述方法来制造半导体器件的方法以及使用该方法获得的半导体器件，所述半导体器件具有至少三层的结构，包括4H‑SiC或6H‑SiC层、3C‑SiC层和金属层。

公开(公告)号：CN115881521A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211197553.1

申请日：2022-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  W·舒斯特雷德 ,  A·科尼格 ,  K·L·姆莱钦 ,  B·莱特尔 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了制造包括掩埋损伤区的半导体器件的方法。提出了一种制造半导体器件(100)的方法。方法包括通过穿过半导体本体(104)的表面(106)注入第一元素来在半导体本体中形成掩埋损伤区(102)。多于60%的所注入的第一元素位于第一元素的穿透深度(p1)的90%至100%的范围内。之后，方法进一步包括通过穿过半导体本体的表面注入第二元素来在半导体本体中形成掺杂区(108)，其中第二元素的穿透深度在第一元素的穿透深度的100%至130%的范围内。

公开(公告)号：CN116581028A

公开(公告)日：2023-08-11

申请号：CN202310097415.4

申请日：2023-02-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·K·乔希 ,  T·R·西米耶尼克 ,  W·舒斯特雷德 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·柯尼格

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/45

Abstract: 公开了具有金属界面层的碳化硅器件以及制造方法。制造半导体器件的方法包括形成从第一表面(101)延伸到碳化硅本体(100)中的沟槽(209)。在碳化硅本体(100)中形成第一掺杂区(291)和相反掺杂的第二掺杂区(292)。在沟槽(209)的下侧壁部分(202)上形成下层结构(210)。上层堆叠(220)被形成在上侧壁部分(201)上和/或第一表面(101)上。第一掺杂区(291)和上层堆叠(220)沿着上侧壁部分(201)和/或在第一表面(101)上直接接触。第二掺杂区(292)和下层结构(210)沿着下侧壁部分(202)直接接触。

公开(公告)号：CN115832016A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211126608.X

申请日：2022-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  P·埃林豪斯 ,  A·科尼格 ,  C·林德茨 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04

Abstract: 一种方法包括相对于第一离子束将碳化硅层定向到第一晶体沟道方向，并且使用第一离子束将磷注入到碳化硅层中，以在碳化硅层中限定第一掺杂区。第一晶体沟道方向和第一离子束之间的偏离角小于±1°，并且第一晶体沟道方向包括 方向或 方向。

公开(公告)号：CN119300385A

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202410890738.3

申请日：2024-07-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： A·柯尼格 ,  K·L·姆莱奇尼 ,  A·福克尔 ,  C·林德兹 ,  W·舒斯特雷德 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H10D30/01 ,  H10D30/60 ,  H10D12/01 ,  H01L21/04

Abstract: 本公开涉及包括离子注入过程的制造半导体装置的方法，其包括：在半导体主体中形成掺杂区。形成掺杂区包括：通过第一离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第一掺杂物。此后，形成掺杂区包括：将第一热处理应用于半导体主体。此后，形成掺杂区包括：通过第二离子注入过程，在第一垂直参考水平，通过半导体主体的第一表面，引入第二掺杂物。第一掺杂物的原子序数等于第二掺杂物的原子序数。第二离子注入过程的离子注入能量与第一离子注入过程的离子注入能量相差小于20％。第二离子注入过程的离子注入剂量与第一离子注入过程的离子注入剂量相差小于20％。

公开(公告)号：CN116895521A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310333782.X

申请日：2023-03-30

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰林克 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德 ,  D·施洛格 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/268 ,  H01L23/482 ,  H01L29/36

Abstract: 公开了制造半导体器件的方法。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。通过在第一表面(104)处对半导体本体(102)进行处理来在半导体本体(102)中形成半导体器件元件(108)。在半导体本体(102)的第一表面(104)上形成布线区域(110)。半导体本体(102)被经由布线区域(110)附接到载体(112)。此后，通过第二表面(106)将离子(114)注入到半导体本体(102)中。离子(114)是掺杂元素的离子，或者是通过络合物形成而引入掺杂的离子，或者是重金属的离子。利用多个激光脉冲(118)照射在第二表面(106)处半导体本体(102)的表面区(116)。此后，将载体(112)从半导体本体(102)移除。

公开(公告)号：CN116387140A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310001187.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  F·M·格拉斯 ,  M·耶利内克 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格 ,  B·莱特尔 ,  K·L·姆莱奇尼格 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅层；沉积金属层；以及对SiC衬底和SiC衬底上的层堆叠进行激光热退火，从而形成金属硅化物层。此外，描述了一种具有至少三层结构的半导体器件，其包括SiC衬底、金属硅化物层以及与衬底和金属硅化物层直接接触的多晶层。

公开(公告)号：CN117594433A

公开(公告)日：2024-02-23

申请号：CN202310998505.0

申请日：2023-08-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  W·舒斯特雷德 ,  R·K·乔希 ,  H-J·舒尔茨 ,  D·克拉斯诺忠

IPC: H01L21/28 ,  H01L29/45

Abstract: 本公开涉及一种用于在SiC衬底上制造接触的方法，其中方法包括：提供晶体SiC衬底；对SiC衬底的表面区域中的晶体结构进行修改，并且由此在表面区域中生成富碳的SiC部分；通过将金属性接触材料沉积到包括富碳的SiC部分的表面区域上来在SiC衬底上形成接触层；以及对SiC衬底的富碳的SiC部分的至少一部分和接触层的至少一部分进行热退火，由此生成至少包括金属性接触材料、硅和碳的三元金属性相部分。更进一步地，描述了SiC半导体器件，其包括：晶体SiC衬底；和接触层，其包括直接与SiC衬底表面接触的三元金属性相部分。

公开(公告)号：CN114944329A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210146235.6

申请日：2022-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西米尼克 ,  T·艾辛格 ,  R·K·乔希 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种用于形成SiC MOSFET的方法和SiC MOSFET。所述方法包括：形成邻接布置在半导体本体（100）中的本体区（11）的栅极电介质（2），以及在栅极电介质（2）上形成栅电极（3）。形成栅电极（3）包括：形成第一电极层（31），将功函数调节原子注入到第一电极层（31）中，以及在第一电极层（31）上形成第二电极层（32）。