公开(公告)号：CN116387140A

公开(公告)日：2023-07-04

申请号：CN202310001187.6

申请日：2023-01-03

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H-J·舒尔茨 ,  F·M·格拉斯 ,  M·耶利内克 ,  A·柯尼格 ,  G·朗格 ,  B·莱特尔 ,  K·L·姆莱奇尼格 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/40 ,  H01L29/45 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861

Abstract: 一种制造金属硅化物层的方法，包括：对SiC衬底的表面区进行激光热退火；暴露由此获得的硅层的表面；在暴露的硅层之上沉积金属层；以及对层堆叠进行热处理，从而形成金属硅化物层。一种制造金属硅化物层的替选方法包括：在SiC衬底之上沉积至少一个硅层；沉积金属层；以及对SiC衬底和SiC衬底上的层堆叠进行激光热退火，从而形成金属硅化物层。此外，描述了一种具有至少三层结构的半导体器件，其包括SiC衬底、金属硅化物层以及与衬底和金属硅化物层直接接触的多晶层。