公开(公告)号：CN116247087A

公开(公告)日：2023-06-09

申请号：CN202211563655.0

申请日：2022-12-07

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： S·罗伊 ,  H-J·舒尔兹 ,  O·布兰克 ,  J·A·莫泽 ,  T·艾辛格

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/51 ,  H01L29/40 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

Abstract: 本公开涉及具有增强的电荷载流子迁移率的沟槽功率器件。功率晶体管器件包括：半导体衬底；延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；提供在栅极沟槽中的晶体管栅极；以及绝缘结构，形成在晶体管栅极和栅极沟槽的侧壁之间。绝缘结构被配置成将晶体管栅极与沿着栅极沟槽的侧壁延伸的沟道区电绝缘。绝缘结构包括压电材料层。

公开(公告)号：CN116153998A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211444353.1

申请日：2022-11-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  T·艾辛格 ,  R·埃尔佩特 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了包括沟槽栅极结构的半导体器件。一种包括碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构的半导体器件。沟槽栅极结构的至少一部分沿第一横向方向延伸。半导体器件包括第一导电类型的源极区，在沿第一横向方向的第一分段中邻接沟槽栅极结构。半导体器件包括第二导电类型的半导体区。半导体区包括布置在第一分段中的源极区下方的第一子区，和布置在沿第一横向方向直接邻接第一分段的第二分段中的第二子区。半导体器件包括第一导电类型的电流扩布区。电流扩布区包括第一子区和第二子区，第一子区在第一分段中在距半导体本体的第一表面的竖向距离处直接邻接沟槽栅极结构，第二子区在第二分段中在距第一表面的竖向距离处与沟槽栅极结构间隔开一定横向距离。

公开(公告)号：CN114944329A

公开(公告)日：2022-08-26

申请号：CN202210146235.6

申请日：2022-02-17

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： R·西米尼克 ,  T·艾辛格 ,  R·K·乔希 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78

Abstract: 公开一种用于形成SiC MOSFET的方法和SiC MOSFET。所述方法包括：形成邻接布置在半导体本体（100）中的本体区（11）的栅极电介质（2），以及在栅极电介质（2）上形成栅电极（3）。形成栅电极（3）包括：形成第一电极层（31），将功函数调节原子注入到第一电极层（31）中，以及在第一电极层（31）上形成第二电极层（32）。