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公开(公告)号：CN116247087A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202211563655.0
申请日：2022-12-07
Applicant: 英飞凌科技股份有限公司
IPC: H01L29/423 , H01L29/51 , H01L29/40 , H01L29/78 , H01L29/739
Abstract: 本公开涉及具有增强的电荷载流子迁移率的沟槽功率器件。功率晶体管器件包括：半导体衬底；延伸到半导体衬底中的栅极沟槽；提供在栅极沟槽中的晶体管栅极；以及绝缘结构，形成在晶体管栅极和栅极沟槽的侧壁之间。绝缘结构被配置成将晶体管栅极与沿着栅极沟槽的侧壁延伸的沟道区电绝缘。绝缘结构包括压电材料层。
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