公开(公告)号：CN114649402A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111569957.4

申请日：2021-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  R·埃尔佩特 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有屏蔽结构的SiC器件。一种半导体器件包括：SiC衬底；在SiC衬底中或SiC衬底上的并且在半导体器件的操作期间经受电场的器件结构；在SiC衬底中的邻接器件结构的第一导电类型的电流传导区；以及第二导电类型的屏蔽区，其在横向上相邻于电流传导区并且被配置为至少部分地屏蔽器件结构免受电场影响。屏蔽区具有比电流传导区高的净掺杂浓度，并且具有从与器件结构的底部对应的第一位置到与屏蔽区的底部对应的第二位置测量的长度(L)。电流传导区具有在电流传导区的相对的横向侧之间测量的宽度(d)，并且L/d在1至10的范围内。

公开(公告)号：CN116153998A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211444353.1

申请日：2022-11-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  T·艾辛格 ,  R·埃尔佩特 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了包括沟槽栅极结构的半导体器件。一种包括碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构的半导体器件。沟槽栅极结构的至少一部分沿第一横向方向延伸。半导体器件包括第一导电类型的源极区，在沿第一横向方向的第一分段中邻接沟槽栅极结构。半导体器件包括第二导电类型的半导体区。半导体区包括布置在第一分段中的源极区下方的第一子区，和布置在沿第一横向方向直接邻接第一分段的第二分段中的第二子区。半导体器件包括第一导电类型的电流扩布区。电流扩布区包括第一子区和第二子区，第一子区在第一分段中在距半导体本体的第一表面的竖向距离处直接邻接沟槽栅极结构，第二子区在第二分段中在距第一表面的竖向距离处与沟槽栅极结构间隔开一定横向距离。

公开(公告)号：CN116153984A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211473483.8

申请日：2022-11-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36

Abstract: 公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导电类型的本体区，本体区包括在平面栅极结构下方邻接源极区的沟道区带；以及第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带，其中屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN115706114A

公开(公告)日：2023-02-17

申请号：CN202210966912.9

申请日：2022-08-12

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： C·伦德茨 ,  R·西米尼克

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/06 ,  H01L21/8234

Abstract: 公开了晶体管器件以及用于生产晶体管器件的方法。晶体管器件包括：SiC半导体本体(100)，其包括第一半导体层(110)；多个沟槽(2)，每个沟槽从第一半导体层(110)的第一表面(111)延伸到第一半导体层(110)中；以及多个晶体管单元(1)，每个晶体管单元被耦合到源极节点(S)。第一半导体层(110)包括多个台面区(112)，每个台面区被形成在沟槽(2)中的邻近的两个沟槽之间，在每个台面区(112)中，至少部分地集成有多个晶体管单元(1)中的至少之一，每个晶体管单元(1)被经由相应的源极接触(4)连接到源极节点(S)，并且每个源极接触(4)被布置在沟槽(2)中的相应的沟槽中并且与相应的沟槽(2)的底部(23)间隔开。