公开(公告)号：CN116153998A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211444353.1

申请日：2022-11-18

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  T·艾辛格 ,  R·埃尔佩特 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L29/417 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了包括沟槽栅极结构的半导体器件。一种包括碳化硅半导体本体中的沟槽栅极结构的半导体器件。沟槽栅极结构的至少一部分沿第一横向方向延伸。半导体器件包括第一导电类型的源极区，在沿第一横向方向的第一分段中邻接沟槽栅极结构。半导体器件包括第二导电类型的半导体区。半导体区包括布置在第一分段中的源极区下方的第一子区，和布置在沿第一横向方向直接邻接第一分段的第二分段中的第二子区。半导体器件包括第一导电类型的电流扩布区。电流扩布区包括第一子区和第二子区，第一子区在第一分段中在距半导体本体的第一表面的竖向距离处直接邻接沟槽栅极结构，第二子区在第二分段中在距第一表面的竖向距离处与沟槽栅极结构间隔开一定横向距离。

公开(公告)号：CN116153984A

公开(公告)日：2023-05-23

申请号：CN202211473483.8

申请日：2022-11-23

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/36

Abstract: 公开了用于碳化硅器件的屏蔽结构。一种碳化硅器件，包括：在碳化硅衬底的第一表面上的平面栅极结构，平面栅极结构具有沿着横向第一方向的栅极长度；第一导电类型的源极区，其在栅极长度的至少一部分上在平面栅极结构下方延伸；第二导电类型的本体区，本体区包括在平面栅极结构下方邻接源极区的沟道区带；以及第二导电类型的屏蔽区，其在至少20%但是小于100%的栅极长度上覆盖沟道区带，其中屏蔽区中的最大掺杂剂浓度高于本体区中的最大掺杂剂浓度。

公开(公告)号：CN117012804A

公开(公告)日：2023-11-07

申请号：CN202310491798.3

申请日：2023-05-04

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  R·埃尔佩特

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L29/423 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 一种半导体器件(10)包括晶体管(120)。所述晶体管(120)包括在半导体衬底(100)中形成且在第一水平方向上延伸的多个栅沟槽(111)。所述栅沟槽(111)将所述半导体衬底(100)图案化成脊(114)，所述脊(114)被分别布置在两个邻近栅沟槽(111)之间。所述晶体管进一步包括在所述栅沟槽中的至少一个中布置的栅电极(110)、第一导电类型的源区(124)、沟道区(122)、以及所述第一导电类型的漂移区(126)。所述源区(124)、所述沟道区(122)、和所述漂移区(126)的部分被布置在所述脊(114)中。所述栅电极(110)与所述沟道区(122)和所述漂移区(126)绝缘。所述沟道区(122)包括第二导电类型的掺杂部分，并且所述掺杂部分的掺杂浓度在与所述第一水平方向相交的从与所述栅电极接近的区到所述脊的中央部分的第二水平方向上降低。

公开(公告)号：CN114649402A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111569957.4

申请日：2021-12-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·海尔 ,  R·埃尔佩特 ,  C·伦德茨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 公开了具有屏蔽结构的SiC器件。一种半导体器件包括：SiC衬底；在SiC衬底中或SiC衬底上的并且在半导体器件的操作期间经受电场的器件结构；在SiC衬底中的邻接器件结构的第一导电类型的电流传导区；以及第二导电类型的屏蔽区，其在横向上相邻于电流传导区并且被配置为至少部分地屏蔽器件结构免受电场影响。屏蔽区具有比电流传导区高的净掺杂浓度，并且具有从与器件结构的底部对应的第一位置到与屏蔽区的底部对应的第二位置测量的长度(L)。电流传导区具有在电流传导区的相对的横向侧之间测量的宽度(d)，并且L/d在1至10的范围内。