公开(公告)号：CN115881521A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211197553.1

申请日：2022-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  W·舒斯特雷德 ,  A·科尼格 ,  K·L·姆莱钦 ,  B·莱特尔 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了制造包括掩埋损伤区的半导体器件的方法。提出了一种制造半导体器件(100)的方法。方法包括通过穿过半导体本体(104)的表面(106)注入第一元素来在半导体本体中形成掩埋损伤区(102)。多于60%的所注入的第一元素位于第一元素的穿透深度(p1)的90%至100%的范围内。之后，方法进一步包括通过穿过半导体本体的表面注入第二元素来在半导体本体中形成掺杂区(108)，其中第二元素的穿透深度在第一元素的穿透深度的100%至130%的范围内。

公开(公告)号：CN115692181A

公开(公告)日：2023-02-03

申请号：CN202210857182.9

申请日：2022-07-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： W·舒斯特雷德 ,  R·K·乔希 ,  H-J·舒尔茨 ,  R·西米尼克 ,  A·科尼格

IPC: H01L21/04 ,  H01L29/16 ,  H01L29/45

Abstract: 本申请涉及在碳化硅衬底上制造欧姆接触的方法，除其他步骤外，所述方法还包括以下步骤：提供4H‑SiC或6H‑SiC衬底；将掺杂剂注入4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中；退火注入表面区，从而生成3C‑SiC层；以及在3C‑SiC层上沉积金属层，其中注入步骤包括具有至少两个不同注入能级的多个等离子体沉积步骤，并且其中选择注入能量和注入剂量以在退火步骤期间在4H‑SiC或6H‑SiC衬底的表面区中生成3C‑SiC层。此外，描述了通过应用本文所述方法来制造半导体器件的方法以及使用该方法获得的半导体器件，所述半导体器件具有至少三层的结构，包括4H‑SiC或6H‑SiC层、3C‑SiC层和金属层。

公开(公告)号：CN115832016A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211126608.X

申请日：2022-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  P·埃林豪斯 ,  A·科尼格 ,  C·林德茨 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04

Abstract: 一种方法包括相对于第一离子束将碳化硅层定向到第一晶体沟道方向，并且使用第一离子束将磷注入到碳化硅层中，以在碳化硅层中限定第一掺杂区。第一晶体沟道方向和第一离子束之间的偏离角小于±1°，并且第一晶体沟道方向包括 方向或 方向。