公开(公告)号：CN115881521A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211197553.1

申请日：2022-09-29

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  W·舒斯特雷德 ,  A·科尼格 ,  K·L·姆莱钦 ,  B·莱特尔 ,  H-J·舒尔茨

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/04 ,  H01L29/06

Abstract: 公开了制造包括掩埋损伤区的半导体器件的方法。提出了一种制造半导体器件(100)的方法。方法包括通过穿过半导体本体(104)的表面(106)注入第一元素来在半导体本体中形成掩埋损伤区(102)。多于60%的所注入的第一元素位于第一元素的穿透深度(p1)的90%至100%的范围内。之后，方法进一步包括通过穿过半导体本体的表面注入第二元素来在半导体本体中形成掺杂区(108)，其中第二元素的穿透深度在第一元素的穿透深度的100%至130%的范围内。

公开(公告)号：CN115579378A

公开(公告)日：2023-01-06

申请号：CN202210703672.3

申请日：2022-06-21

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： B·斯托伊布 ,  M·杰利内克 ,  M·穆勒 ,  D·施勒格尔 ,  H-J·舒尔茨 ,  H·舒尔茨

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L21/329

Abstract: 公开了包括场停止区的半导体器件。一种半导体器件，其示例包括被布置在半导体本体的第一表面和第二表面之间的第一导电类型的漂移区。半导体器件进一步包括在第二表面处的第一导电类型的第一区。半导体器件进一步包括在第二表面处的被布置成相邻于第一区的第二导电类型的第二区。第一导电类型的场停止区被布置在漂移区和第二表面之间。第二表面上的第一电极被布置成在第二表面的第一部分中直接相邻于第一区，并且在第二表面的第二部分中直接相邻于第二区。场停止区包括第一子区和在第一子区与第二表面之间的第二子区。在第二表面的第一部分的主要部分上，第二子区直接邻接第一区并且包括部分地补偿第一导电类型的掺杂剂的第二导电类型的掺杂剂。

公开(公告)号：CN116031150A

公开(公告)日：2023-04-28

申请号：CN202211326038.9

申请日：2022-10-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： D·施洛格 ,  H-J·舒尔茨 ,  M·杰利内克 ,  F·J·桑托斯罗德里格斯

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/225

Abstract: 公开了包括离子注入的制造半导体器件的方法和半导体器件。提出了一种在具有第一表面(104)和第二表面(106)的半导体本体(102)中制造半导体器件的方法。方法包括通过第二表面(106)将质子(I1)注入到半导体本体(102)中。方法进一步包括通过第二表面(106)将离子(I2)注入到半导体本体(102)中。离子是具有至少为9的原子序数的非掺杂元素的离子。此后，方法进一步包括通过热退火对半导体本体(102)进行处理。

公开(公告)号：CN115832016A

公开(公告)日：2023-03-21

申请号：CN202211126608.X

申请日：2022-09-16

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： M·杰利内克 ,  P·埃林豪斯 ,  A·科尼格 ,  C·林德茨 ,  H-J·舒尔茨 ,  W·舒斯特雷德

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/16 ,  H01L21/04

Abstract: 一种方法包括相对于第一离子束将碳化硅层定向到第一晶体沟道方向，并且使用第一离子束将磷注入到碳化硅层中，以在碳化硅层中限定第一掺杂区。第一晶体沟道方向和第一离子束之间的偏离角小于±1°，并且第一晶体沟道方向包括 方向或 方向。